薄膜光电导探测器及其制备方法与应用技术

本发明专利技术公开了一种薄膜光电导探测器及其制备方法与应用。该薄膜光电导探测器，由下至上依次包括基底、载流子传输层、电极层和吸光层；电极层由位于同一层的正极层和负极层组成。该探测器结合了无机材料的高迁移率与有机材料的高吸光，当光照射到光电器件的有机层上时，最上层的有机材料吸光产生载流子，由于有机层与无机层间的能级差与载流子的浓度差，光生载流子进入无机材料层，并很快的被电极收集从而有很大的G和R值。同时，因为无机材料高的迁移率，使的器件的光电流响应时间和衰减时间也大大减小，从而提高了薄膜光导器件的灵敏度，具有重要的应用价值。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种薄膜光电导探测器，由下至上依次包括基底、载流子传输层、电极层和吸光层；所述电极层由位于同一层的正极层和负极层组成，所述正极层与负极层的水平间距为10?1000μm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：靳志文，王吉政，张志国，
申请(专利权)人：中国科学院化学研究所，
类型：发明
国别省市：