导电性膜卷的制造方法技术

本发明专利技术提供一种导电性膜卷的制造方法，邻接的膜彼此不压接而能够维持高品质。本发明专利技术的制造方法边使长条状的膜基材接触第1成膜辊边进行搬运，在膜基材的不接触该第1成膜辊的第1面侧通过溅射法顺次层叠第1透明导电体层、第1金属层和氧化金属被膜层，形成第1层叠体。然后，将形成了第1层叠体的膜基材不卷成卷状而供给到第2成膜辊，边使第1层叠体的上述氧化金属被膜层接触第2成膜辊边进行搬运，在该膜基材的没有形成上述第1层叠体的第2面侧通过溅射法顺次层叠第2透明导电体层和第2金属层，形成第2层叠体。然后将形成了第1以及第2层叠体的膜基材卷成卷状。

【技术实现步骤摘要】
导电性膜卷的制造方法
本专利技术涉及适用于能够通过手指或触控笔（styluspen）等的接触而输入信息的输入显示装置等的导电性膜卷的制造方法。
技术介绍
目前，已知一种导电性膜，该导电性膜具备形成在膜基材的两面的透明导电体层和形成在各透明导电体层的表面的金属层（专利文献1）。将这样的导电性膜用于例如接触式传感器时，对金属层进行加工，在接触输入区域的外缘部形成引导布线，从而能够实现窄边框化。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011－060146号公报
技术实现思路
但是，上述现有的导电性膜存在将该膜卷成卷状时邻接的膜彼此压接的问题。如果将压接的膜彼此剥离，则有时损伤膜内的透明导电体层，可能导致品质降低。本专利技术的目的是提供一种邻接的膜彼此不压接而能够维持高品质的导电性膜卷的制造方法。为了实现上述目的，本专利技术的导电性膜卷的制造方法的特征在于包含：第1工序，边使长条状的膜基材接触第1成膜辊边进行搬运，在所述膜基材的第1面侧通过溅射法顺次层叠第1透明导电体层、第1金属层和氧化金属被膜层，形成第1层叠体；第2工序，将形成了所述第1层叠体的膜基材不卷成卷状而供给到第2成膜辊，边使该第1层叠体的氧化金属被膜层接触该第2成膜辊边进行搬运，在所述膜基材的没有形成所述第1层叠体的第2面侧通过溅射法顺次层叠第2透明导电体层和第2金属层，形成第2层叠体；第3工序，将所述第2层叠体卷成卷状。另外，优选在所述第1工序中，形成厚度1nm～15nm的氧化金属被膜层。优选所述第1金属层以及所述第2金属层用从由铜、银、铝、铜合金、镍合金、钛合金以及银合金构成的组中选出的材料形成。另外，优选所述氧化金属被膜层用从由铜、银、铝、铜合金、镍合金、钛合金以及银合金构成的组中选出的材料的氧化物形成。根据本专利技术，边使膜基材接触第1成膜辊边进行搬运，在上述膜基材的第1面侧通过溅射法顺次层叠第1透明导电体层、第1金属层和氧化金属被膜层，形成第1层叠体。然后，将形成了上述第1层叠体的膜基材不卷成卷状而供给到第2成膜辊，在上述膜基材的没有形成上述第1层叠体的第2面侧，通过溅射法顺次层叠第2透明导电体层和第2金属层，形成第2层叠体。根据本方法，邻接的膜彼此不压接，能够维持高品质。附图说明图1是表示本专利技术实施方式的导电性膜卷的制造方法的流程图。图2是概略地表示适用图1的制造方法的溅射装置的图。图3是表示通过图2的溅射装置制造的导电性膜卷之一例的侧视图。符号说明1溅射装置10腔室11，22保持部12导辊13，18成膜辊14，15，16，19，20靶材17a，17b，17c，17d导辊21导辊23搬运室24，25，26，27，28处理室30初始卷31卷40导电性膜卷41导电性膜42膜基材43透明导电体层44金属层45透明导电体层46金属层47氧化金属被膜层具体实施方式以下边参照附图边详细说明本专利技术的实施方式。本实施方式的导电性膜卷的制造方法如图1所示，首先边使长条状的膜基材接触第1成膜辊边进行搬运（步骤S11），在膜基材的不接触该第1成膜辊的第1面侧通过溅射法顺次层叠第1透明导电体层、第1金属层和氧化金属被膜层，形成第1层叠体（步骤S12）。接下来，将形成了第1层叠体的膜基材不卷成卷状而供给到第2成膜辊（步骤S13），边使第1层叠体的上述氧化金属被膜层接触第2成膜辊边进行搬运（步骤S14），在该膜基材的没有形成上述第1层叠体的第2面侧通过溅射法顺次层叠第2透明导电体层和第2金属层，形成第2层叠体（步骤S15）。然后，将形成了第1以及第2层叠体的膜基材（导电性膜）卷成卷状（步骤S16）。通过该制造方法得到的导电性膜卷在第1金属层的与第1透明导电体层的相反侧具有氧化金属被膜层，从而发挥在卷绕之际即使不在导电性膜之间插入衬纸（slipsheet）也不压接的优异效果。推测这是因为在将导电性膜卷成卷状时，不具有自由电子的氧化金属被膜层介于邻接的第1铜层和第2铜层之间，从而能够防止上述第1铜层和上述第2铜层金属键合。另外，根据上述制造方法，不将通过步骤S12得到的第1层叠体卷成卷状而供给到第2成膜辊，从而能够从上述步骤S12到步骤S15连续实施，所以与分割各步骤而进行实施的情况相比，发挥导电性膜卷的生产率优异的进一步效果。此外，因为连续实施上述步骤S11～步骤S16，所以在各层之间难以混入灰尘，还发挥能够得到缺陷少、品质优异的导电性膜卷的效果。上述制造方法优选通过图2所示的溅射装置实施。应予说明，图2的溅射装置为示例，适用本专利技术的制造方法的溅射装置不限于图2的溅射装置。如图2所示，溅射装置1具有：用于制作低压环境（例如1×10－5Pa～1Pa）的腔室（chamber）10，保持将长条状的膜基材卷绕而得的初始卷30的保持部11，配置在保持部11和后述的成膜辊之间、引导搬运到该成膜辊的膜基材的导辊12，以温度（例如20℃～250℃）可控的方式构成的、在上述膜基材的一面形成第1层叠体的成膜辊13（第1成膜辊），电连接于没有图示的直流电源、并且分别与成膜辊13相对向地配置的靶材14、15、16（第1、第2、第3靶材），沿图中箭头所示的搬运方向顺次配置、并且将形成了第1层叠体的膜基材搬运到后述的成膜辊的导辊17a～17d，以温度（例如20℃～250℃）可控的方式构成的、并且在上述膜基材的另一面形成第2层叠体的成膜辊18（第2成膜辊），电连接于没有图示的直流电源、并且分别与成膜辊18相对向地配置的靶材19、20（第4、第5靶材），配置在成膜辊18的下游侧的导辊21，保持将形成了第1以及第2层叠体的膜基材卷绕而得的卷31的保持部22。腔室10具有保持初始卷30以及处理后的卷31、并且将形成了第1层叠体的膜基材搬运到后述的2个处理室的搬运室23。另外，以能够使用靶材14、15、16在互不相同的条件下实施溅射处理的方式在成膜辊13的周围设置3个处理室24、25、26。与此相同，以能够使用靶材19、20在互不相同的条件下实施溅射处理的方式在成膜辊18的周围设置2个处理室27、28。这样的溅射装置中，例如在成膜辊13和各靶材之间、或者在成膜辊18和各靶材之间施加电压（例如－400V～－100V）而产生等离子体，该等离子体中的阳离子冲击作为负电极的靶材，从而能够使从上述靶材的表面飞散的物质附着于膜基材。通过上述步骤S12得到的第1层叠体可如下制作：作为靶材14，使用能够形成透明导电体层的靶（例如包含氧化铟和氧化锡的烧成体靶），作为靶材15使用金属靶，作为靶材16，使用氧化金属靶，边沿着成膜辊13的周面搬运膜基材，边进行溅射处理而制作。应予说明，上述氧化金属被膜层也可如下制作：作为靶材16，代替上述氧化金属靶，使用没有被氧化的金属靶，边供给氧气使靶材16周围的氧分压成为1×10－4Pa～0.1Pa，边进行成膜而制作。通过上述步骤S15而得的第2层叠体B可如下制造：作为靶材19使用能够形成透明导电体层的靶，作为靶材20使用金属靶，边将形成了上述第1层叠体的膜基材沿着成膜辊18的周面进行搬运，边进行溅射处理而制作。应予说明，本专利技术中，可以在靶材20的搬运方向的下游侧进一步设置其他靶材（第6靶材），在上述第2金属层上进一步层叠第2氧化金属被膜层。图3是表示通过图2的溅射装置制造的导电性膜卷的一例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种导电性膜卷的制造方法，其特征在于，所述导电性膜卷的制造方法包含：第1工序，边使长条状的膜基材接触第1成膜辊边进行搬运，在所述膜基材的第1面侧通过溅射法顺次层叠第1透明导电体层、第1金属层和氧化金属被膜层，形成第1层叠体，第2工序，将形成了所述第1层叠体的膜基材不卷成卷状而供给到第2成膜辊，边使该第1层叠体的氧化金属被膜层接触该第2成膜辊边进行搬运，在所述膜基材的没有形成所述第1层叠体的第2面侧通过溅射法顺次层叠第2透明导电体层和第2金属层，形成第2层叠体，第3工序，将所述第2层叠体卷成卷状。

【技术特征摘要】
2012.03.13 JP 2012-0559951.一种导电性膜卷的制造方法，其特征在于，所述导电性膜卷的制造方法包含：第1工序，边使长条状的膜基材接触第1成膜辊边进行搬运，在所述膜基材的第1面侧通过溅射法顺次层叠第1透明导电体层、第1金属层和氧化金属被膜层，形成第1层叠体，第2工序，将形成了所述第1层叠体的膜基材不卷成卷状而供给到第2成膜辊，边使该第1层叠体的氧化金属被膜层接触该第2成膜辊边进行搬运，在所述膜基材的没有形成所述第1层叠体的第2面侧通过溅射法顺次层叠第2透明导电体层和第2金属层，形成第2层叠体，第3工序，将具有所述第1层叠体和所述第2层叠体的长条状的膜基材卷成卷状。2.如权利要求1所述的导电性膜卷的制造方法，其特征在于，在所述第1工序中，形成厚度1nm～15nm的氧化金属被膜层。3.如权利要求1所述的导电性膜卷的制造方法，其特征在于，所述第1金属层以及所述第2金属层用从由铜、银、铝、铜合金...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤野望，鹰尾宽行，石桥邦昭，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：