一种新的结晶型恩替卡韦制造技术

本发明专利技术涉及一种新的结晶型恩替卡韦及该结晶型恩替卡韦的制备方法，所述新的结晶型恩替卡韦的X射线粉末衍射图在2θ=16.435°(d=5.38925)，2θ=19.704°(d=4.50199),2θ=25.376°(d=3.50703)处有较强的衍射峰，差热分析图谱上，在79.1℃开始出现一个脱水吸热熔融峰，在140.1℃出现一个吸热熔融峰，在244.6℃左右出现一个尖锐的吸热熔融峰，到299.2℃左右时，样品开始溶解。本发明专利技术所述结晶型恩替卡韦较恩替卡韦一水合物结晶制成制剂时，具有更好的溶出度，晶型具有相对更好稳定性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种结晶型恩替卡韦，其特征在于，其铜靶X射线粉末晶体衍射具有以下特征的吸收峰：峰号衍射角2θ（°）晶面距d19.8568.96714210.0668.78058311.2757.84132411.8687.45084514.2846.19550614.4436.12763716.4355.38925817.4765.07053917.7304.998381018.1824.875161118.7924.718311219.1544.629871319.7044.501991421.2514.177531521.7934.074991623.9833.707571724.3803.648101825.3763.507031925.6763.466842026.5953.348972127.5413.236092228.8153.095712329.2123.054682430.0082.975482530.9422.887702631.2682.858342731.8572.806862832.2902.770182933.3412.685213034.2102.618953134.5092.59696...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李鹏，杨健，
申请(专利权)人：北京凯因科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：