【技术实现步骤摘要】
一种在Si表面生成0-50纳米任意高度纳米台阶的方法
本专利技术属于纳米制备
,涉及纳米结构的制备,具体涉及一种在Si表面生成0-50纳米任意高度纳米台阶的方法。
技术介绍
纳米标准样的发展,已经进入100纳米以下的尺度。X和Y方向控制已经可以达到几纳米,但是Z方向的控制,有很大的随机性。不管采用聚焦离子束技术还是溅射沉积技术以及ICP工艺,得到的台阶结构高度都与设计偏差较大,同时表面粗糙度也较大。作为标准样,需要高度准确以及同时侧壁陡直。原子层沉积技术是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法,可以精确控制Z方向的尺寸精度。对于采用ALD制备纳米台阶的方法,现在还未见报道。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种在Si表面生成0-50纳米任意高度纳米台阶的方法。为达到上述目的,本专利技术采用了以下技术方案:一种在Si表面生成0-50纳米任意高度纳米台阶的方法,包括以下步骤:(1)制备Al2O3薄膜:在Si基底上采用原子层沉积的方法制备Al2O3薄膜;(2)图形转移:将设计好的纳米台阶平面图形采用光刻工艺,深紫外光曝光的方式,转移到Al2O3薄膜;(3)湿法刻蚀:用蚀刻液腐蚀掉图形以外的Al2O3薄膜,去除掩蔽层,得到纳米台阶结构。作为本专利技术的进一步优化方案,采用单面抛光<100>硅片作为Si基底,步骤(1)中制备Al2O3薄膜前,分别用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗Si基底,清洗干净后烘干。作为本专利技术的进一步优化方案,步骤(1)在300℃温度下,以H2O和三甲基铝为气相前驱体,H2O和三甲基铝的脉冲时间为0.2 ...
【技术保护点】
一种在Si表面生成0?50纳米任意高度纳米台阶的方法,其特征在于包括以下步骤:(1)制备Al2O3薄膜:在Si基底上采用原子层沉积的方法制备Al2O3薄膜;(2)图形转移:将设计好的纳米台阶平面图形采用光刻工艺,深紫外光曝光的方式,转移到Al2O3薄膜;(3)湿法刻蚀:用蚀刻液腐蚀掉图形以外的Al2O3薄膜,去除掩蔽层,得到纳米台阶结构。
【技术特征摘要】
1.一种在Si表面生成0-50纳米任意高度纳米台阶的方法,其特征在于包括以下步骤:(1)制备Al2O3薄膜:在Si基底上采用原子层沉积的方法制备Al2O3薄膜;在300℃温度下,以H2O和三甲基铝为气相前驱体,H2O和三甲基铝的脉冲时间为0.2秒,在两个脉冲间隔往反应室内通入惰性气体,对反应室进行净化,清洗净化时间为8秒,H2O的载气流量为200sccm,三甲基铝的载气流量为150sccm;(2)图形转移:将设计好的纳米台阶平面图形采用光刻工艺,深紫外光曝光的方式,转移到Al2O3薄膜;采用EPG533光刻胶在Si基底表面匀胶后烘干;通过深紫外光曝光后,在NaOH溶液中显影;然后烘干,将纳米台阶平...
【专利技术属性】
技术研发人员:蒋庄德,王琛英,杨树明,林启敬,李磊,
申请(专利权)人:西安交通大学,
类型:发明
国别省市:
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