一种粉末冶金法制备纳米Cu@SiC/Cu基复合材料的方法技术

技术编号:9163374 阅读:147 留言:0更新日期:2013-09-19 12:50
本发明专利技术公开了一种粉末冶金法制备纳米Cu@SiC/Cu基复合材料的方法。将纳米Cu@SiC粉末、镍粉和铜粉按比例置于压力成型机中模压成形,得到压坯预制件,将压坯预制件置于石墨坩埚中,粉末烧结反应在氮气保护的箱式气氛炉内进行,并在700~1000℃温度下保温4~6小时,随炉冷却后得到纳米Cu@SiC/Cu基复合材料。采用表面化学镀铜和添加镍粉的方法减少了纳米SiC粉末和铜基体之间的界面反应,提高了纳米SiC和铜基体的润湿性能,由于粉末冶金工艺在材料生产过程中并不熔化材料,不会混入由坩埚带来的杂质,不会给材料任何污染,本发明专利技术制备的复合材料具有高强度、高致密等优点,且原料成本低廉,工艺简单易控。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种粉末冶金法制备纳米Cu@SiC/Cu基复合材料的方法,其特征在于,该方法的步骤如下:将纳米Cu@SiC粉末、镍粉和铜粉按比例置于压力成型机中模压成形,得到压坯预制件,将压坯预制件置于石墨坩埚中,粉末烧结反应在氮气保护的箱式气氛炉内进行,并在700~1000℃温度下保温4~6小时,随炉冷却后得到纳米Cu@SiC/Cu基复合材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈建军王明明张炬栋薛一凡
申请(专利权)人:浙江理工大学
类型:发明
国别省市:

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