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低功耗电流模式逻辑电路制造技术

技术编号:9145529 阅读:131 留言:0更新日期:2013-09-12 06:46
本发明专利技术公开了一种电流模式逻辑电路,包括:第一PMOS晶体管,所述第一PMOS晶体管的源极耦接至电源端,栅极耦接至接地端,漏极耦接至第一输出节点;第二PMOS晶体管,所述第二PMOS晶体管的源极耦接至所述电源端,栅极耦接至所述接地端,漏极耦接至第二输出节点;以及输入单元,耦接在所述第一输出节点、所述第二输出节点与低电平端之间,并且具有第一输入节点和第二输入节点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种电流模式逻辑电路,包括:第一晶体管,所述第一晶体管的源极耦接至电源端,栅极耦接至接地端,漏极耦接至第一输出节点;第二晶体管,所述第二晶体管的源极耦接至所述电源端,栅极耦接至所述接地端,漏极耦接至第二输出节点;以及输入单元,耦接在所述第一输出节点、所述第二输出节点与低电平端之间,并且具有第一输入节点和第二输入节点。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王源张雪琳贾嵩张钢刚张兴
申请(专利权)人:北京大学
类型:发明
国别省市:

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