有机发光二极管制造技术

本申请公开了一种包含缓冲层的有机发光二极管，所述缓冲层包含一种胺类化合物。

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管相关专利申请的交叉引用本申请要求于2012年3月2日递交至韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2012-0022038的优先权和权益，此处其全部内容通过引用合并于此。
技术介绍
1.
本专利技术的一个或多个实施方式涉及一种有机发光二极管。2.相关技术说明有机发光二极管(OLED)是自发光装置，具有很多优点(例如宽视角、优异的对比度、快速反应、高亮度和优异的驱动电压)并可以提供彩色图像。常规的OLED具有包括基板和依次叠加在基板上的阳极、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和阴极的结构。在这方面，所述HTL、EML和ETL是由有机化合物形成的有机层。具有上述结构的OLED的工作原理如下所述。当在阳极和阴极间施加电压时，从阳极注入的空穴经HTL移动到EML，从阴极注入的电子经ETL移动到EML。空穴和电子在EML内重新结合产生激子。当激子从激发态跃迁到基态时，便发出光来。专利技术概述本专利技术的实施方式的一个方面涉及到一种改进的有机发光二极管，包括在发光层和电子传输层之间的新颖的缓冲层，并由此具有高效率和长寿命。根据本专利技术的一个实施方式，提供了一种有机发光二极管，包括基板；第一电极；面对所述第一电极的第二电极；置于所述第一电极和所述第二电极之间的发光层；置于所述发光层和所述第二电极之间的电子传输层；和置于所述发光层和所述电子传输层之间的缓冲层，其中所述缓冲层包括由下列通式1表示的胺类化合物：<通式1>其中，在通式1中，Ar1和Ar2各自独立地为取代或未取代的C6至C60芳基或取代或未取代的C2至C60杂芳基；X1为取代或未取代的C6至C60亚芳基或取代或未取代的C2至C60杂亚芳基；m为1至5的整数；且所述取代的C6至C60芳基、所述取代的C2至C60杂芳基、所述取代的C6至C60亚芳基和所述取代的C2至C60杂亚芳基中的至少一个取代基为氘；-F；-Cl；-Br；-I；-CN；羟基；-NO2；氨基；脒基；肼；腙；羧基或其盐；磺酸基或其盐；磷酸或其盐；C1至C60烷基；C1至C60烷氧基；C2至C60烯基；C2至C60炔基；被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羟基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐和磷酸或其盐中的至少一个取代的C1至C60烷基、C1至C60烷氧基、C2至C60烯基和C2至C60炔基；C3至C60环烷基；C6至C60芳基；C2至C60杂芳基；C6至C60芳烷基；C6至C60芳氧基；C6至C60芳硫基；以及被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羟基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸或其盐、C1至C60烷基、C1至C60烷氧基、C2至C60烯基、C2至C60炔基、C6至C60芳基和C2至C60杂芳基中的至少一个取代的C3至C60环烷基、C6至C60芳基、C2至C60杂芳基、C6至C60芳烷基、C6至C60芳氧基和C6至C60芳硫基中的一个。附图简述通过参考附图来对本专利技术示例性实施方式进行详细描述，将使本专利技术的上述和其它特征和优点更为清楚：图1是说明根据本专利技术的一个实施方式的有机发光二极管(OLED)的结构的示意图；图2是显示根据对比例2和3制造的OLED的寿命(使用寿命)数据的图；图3是显示根据对比例1和3制造的OLED的寿命数据的图；且图4是显示根据实施例1和对比例3制造的OLED的寿命数据的图。专利技术详述在下文中，将参照附图对有机发光二极管(OLED)的一个或多个实施方式进行详细描述。如这里使用的，术语“和/或”包括一个或多个关联的列举项目中的任何和所有组合。当表达方式例如“中的至少一个，”在一列项目之后时，其修饰项目列表的整体，而不修饰项目列表中的单个项目。图1是说明根据本专利技术的一个实施方式的OLED的结构的示意图。参见图1，所述OLED包括依次叠加的基板11、第一电极12、空穴注入层(HIL)13、空穴传输层(HTL)14、发光层(EML)15、缓冲层16、电子传输层(ETL)17、电子注入层(EIL)18和第二电极19。缓冲层16插在EML15和ETL17之间。基板11可以是用于常规OLED的基板，并可以是具有优异的机械强度、热稳定性、透光度、表面平整度、易于操控性和防水性的玻璃基板或透明塑料基板。第一电极12可以通过沉积或溅射在基板11上涂布第一电极材料形成。当第一电极12是阳极时，第一电极材料可以选自具有高功函以便促进空穴注入的材料。第一电极12可以是反射电极、半透明电极或透明电极。第一电极材料的实例可以包括透明且高度导电的氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)和氧化锌(ZnO)。并且，当镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)或镁-银(Mg-Ag)用作第一电极材料时，第一电极12可以形成为反射电极。第一电极12可以形成为单层或具有至少两层的多层结构。例如，第一电极12可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构，但不限于此。HIL13形成在第一电极12上。HIL13可以通过使用各种适合的方法例如真空沉积、旋涂、浇注或LB沉积在第一电极12上形成。当通过真空沉积形成HIL13时，沉积条件可以根据作为用于形成HIL13的材料的化合物、要形成的HIL的结构和热特性而改变。例如，所述沉淀条件可以为、但不限于约100℃至约500℃的沉积温度、约10-8托至约10-3托的真空度和约/秒至约/秒的沉积速度。当通过旋涂形成HIL13时，涂布条件可以根据作为用于形成HIL13的材料的化合物、要形成的HIL的结构和热特性而改变。例如，涂布条件可以为、但不限于约2000rpm至约5000rpm的涂布速度和约80℃至约200℃的热处理温度，在此温度下可以去除涂布后残留的溶剂。用于形成HIL13的材料可以是已知的空穴注入材料。已知的空穴注入材料的实例包括、但不限于N,N'-联苯-N,N'-双-[4-(苯基-间-甲苯基-氨基)-苯基]-联苯-4,4'-二胺(DNTPD)、酞菁化合物例如酞菁铜、4,4'4”-三(3-甲基苯基苯基胺基)三苯胺(m-MTDATA)、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基对二氨基联苯(NPB)、TDATA、2-TNATA、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚(3,4-亚乙基二氧基苯硫)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(Pani/CSA)和聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)：HIL13的厚度可以在约至约的范围内。在一些实施方式中，HIL30的厚度可以在约至约的范围内。当所述HIL13的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的空穴注入性能而不会大幅增加驱动电压。然后，可以在HIL13上通过使用各种适合的方法例如真空沉积、旋涂、浇注或LB沉积形成HTL14。当通过真空沉积或旋涂形成HTL14时，所述沉积和涂布条件可以根据使用的化合物而改变。但是，一般说来，所述沉积和涂布条件可以与形成HIL13的条件几乎相同。用于形成HTL14的材料可以是已知的空穴传输材料。已知的空穴传输材料的实例包括、但不限于咔唑衍生物例如N-苯基咔唑或聚乙烯基咔唑、N,N'-双(3-本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管，包括基板；第一电极；面对所述第一电极的第二电极；在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层；在所述发光层和所述第二电极之间的电子传输层；和在所述发光层和所述电子传输层之间的缓冲层，其中所述缓冲层包含由下列通式1表示的胺类化合物：其中在通式1中，Ar1和Ar2各自独立地为取代或未取代的C6至C60芳基或取代或未取代的C2至C60杂芳基；X1是取代或未取代的C6至C60亚芳基或取代或未取代的C2至C60杂亚芳基；m为1至5的整数；且所述取代的C6至C60芳基、所述取代的C2至C60杂芳基、所述取代的C6至C60亚芳基和所述取代的C2至C60杂亚芳基中的至少一个取代基为氘；?F；?Cl；?Br；?I；?CN；羟基；?NO2；氨基；脒基；肼；腙；羧基或其盐；磺酸基或其盐；磷酸或其盐；C1至C60烷基；C1至C60烷氧基；C2至C60烯基；C2至C60炔基；被氘、?F、?Cl、?Br、?I、?CN、羟基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐和磷酸或其盐中的至少一个取代的C1至C60烷基、C1至C60烷氧基、C2至C60烯基和C2至C60炔基；C3至C60环烷基；C6至C60芳基；C2至C60杂芳基；C6至C60芳烷基；C6至C60芳氧基；C6至C60芳硫基；以及被氘、?F、?Cl、?Br、?I、?CN、羟基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸或其盐、C1至C60烷基、C1至C60烷氧基、C2至C60烯基、C2至C60炔基、C6至C60芳基和C2至C60杂芳基中的至少一个取代的C3至C60环烷基、C6至C60芳基、C2至C60杂芳基、C6至C60芳烷基、C6至C60芳氧基和C6至C60芳硫基中的一个。FDA00002879818800011.jpg...

【技术特征摘要】
2012.03.02 KR 10-2012-00220381.一种有机发光二极管，包括基板；第一电极；面对所述第一电极的第二电极；在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层；在所述发光层和所述第二电极之间的电子传输层；和在所述发光层和所述电子传输层之间的缓冲层，其中所述缓冲层包含由下列通式1表示的胺类化合物：<通式1>其中在通式1中，X1是亚苯基或亚芴基；m为1至5的整数；且Ar1和Ar2各自独立地为下列通式3(1)至3(30)中的一个：其中在通式3(1)、3(2)和3(8)中，Z11至Z13各自独立地为氢、-F、-CN或-NO2；且在通式3(1)至3(30)中，*表示与通式1的N结合的位置其中所述电子传输层包含由下列通式10A、10B和10C中的一个表示的蒽类化合物：<通式10C>其中在通式10A至10C中，Ar41和Ar42各自独立地为取代或未取代的C6至C60芳基或取代或未取代的C2至C60杂芳基；L1和L2各自独立地为取代或未取代的C6至C60亚芳基或取代或未取代的C2至C60杂亚芳基；a和b各自独立地为0、1或2；R1和R2各自独立地为取代或未取代的苯并咪唑基、取代或未取代的苯并噁唑基、取代或未取代的苯并噻唑基、取代或未取代的苯并嘧啶基、取代或未取代的咪唑并吡啶基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的基、取代或未取代的芴基或取代或未取代的菲基；且R3和R4各自独立地为C1至C20烷基；C6至C20芳基；以及被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、羟基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐和磷酸或其盐中的至少一个取代的C1至C20烷基和C6至C20芳基中的一个。2.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述缓冲层的厚度在至的...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵世珍，李昌浩，申大烨，孙永睦，吴一洙，高熙周，尹振渶，李宝罗，黃晳焕，金荣国，郭允铉，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
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