P-型碳量子点/N-型硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种P-型碳量子点/N-型硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法，其特征是以N-型硅基底层作为太阳能电池的基区，在N-型硅基底层的下表面设置In-Ga合金金属膜背电极层；在N-型硅基底层的上表面设置N-型硅纳米线阵列；在N-型硅纳米线阵列中的N-型硅纳米线的表面包裹P-型碳量子点薄膜层；在P-型碳量子点薄膜层表面设置金属电极层，P-型碳量子点薄膜层与金属电极层为欧姆接触。本发明专利技术工艺简单、适合大规模生产，可制备光吸收能力强、光电转换效率高的太阳能电池，为硅纳米阵列结构在太阳能电池的应用中奠定了基础。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种P?型碳量子点/N?型硅纳米线阵列异质结太阳能电池，其特征是：以N?型硅基底层(2)作为太阳能电池的基区，在所述N?型硅基底层(2)的下表面设置In?Ga合金金属膜背电极层(1)，在所述N?型硅基底层(2)的上表面设置N?型硅纳米线阵列(3)；在所述N?型硅纳米线阵列(3)中的N?型硅纳米线的表面包裹P?型碳量子点薄膜层(4)；在所述P?型碳量子点薄膜层(4)的表面设置金属电极层(5)，所述P?型碳量子点薄膜层(4)与所述金属电极层(5)为欧姆接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：罗林保，谢超，曾龙辉，聂彪，胡瀚，
申请(专利权)人：合肥工业大学，
类型：发明
国别省市：