【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种扇出晶圆级半导体芯片三维堆叠封装结构，包括数个扇出晶圆级半导体芯片封装体，多个封装体之间的凸点阵列及高分子保护材料，每个扇出晶圆级半导体芯片封装体包括数个半导体芯片、载片、贴片材料、模塑料、数个再分布层、通孔、填充导电材料、凸点，其特征在于所述的扇出晶圆级半导体芯片封装体的第一半导体芯片背面及第二半导体芯片背面通过键合工艺经由贴片材料键合一起，并通过模塑料密封成一个整体，第一半导体芯片正面的有源面及第二半导体芯片正面的有源面暴露在模塑料之外，并与模塑料的上下表面在同一平面上，在半导体芯片区域之外的模塑料上制作垂直通孔，并在通孔内填充导电材料，在模塑料密封体的上下表面分别...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘胜，陈照辉，陈润，汪学方，刘孝刚，李超，
申请(专利权)人：刘胜，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。