一种指数掺杂反射式GaAs光电阴极及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种指数掺杂反射式GaAs光电阴极及其制备方法，该阴极自下而上由高质量的n型GaAs衬底、p型GaAs过渡层、p型Ga1-xAlxAs缓冲层、p型指数掺杂的GaAs发射层以及Cs/O激活层组成；其中，p型Ga1-xAlxAs缓冲层中x取值范围为0.5～0.8，厚度在500～1000nm，采用均匀掺杂方式；p型指数掺杂GaAs发射层为3个以上单元分层结构，掺杂浓度按内建电场减小型指数掺杂分布，从后界面处单元分层的1.0×1019cm-3下降到发射表面处单元分层的1.0×1018cm-3，总厚度为1000～3000nm。本发明专利技术中充当后界面电子壁垒的p型Ga1-xAlxAs缓冲层以及具有减小型内建电场的p型指数掺杂GaAs发射层，提高了在后界面处吸收近红外光产生电子的发射效率，使反射式GaAs光电阴极具有更高的近红外响应和积分灵敏度。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种指数掺杂反射式GaAs光电阴极，其特征在于：所述GaAs光电阴极自下而上由高质量的n型GaAs衬底（1）、p型GaAs过渡层（2）、p型Ga1?xAlxAs缓冲层（3）、p型指数掺杂的GaAs发射层（4）以及Cs/O激活层（5）组成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张益军，常本康，赵静，陈鑫龙，钱芸生，任玲，徐源，郝广辉，金睦淳，鱼晓华，
申请(专利权)人：南京理工大学，
类型：发明
国别省市：