一种基于微环-马赫曾德尔干涉仪结构的电光调制器制造技术

技术编号:9142208 阅读:189 留言:0更新日期:2013-09-12 03:52
本发明专利技术公开了一种基于微环-马赫曾德尔干涉仪结构的电光调制器,其包括:入射波导,其为直波导,用于接收入射光和输出出射光;弯曲波导,其与入射波导近距离设置,使得经过入射波导内的入射光部分耦合进该弯曲波导,且经过该弯曲波导的出射光部分耦合进所述入射波导并输出;马赫曾德尔干涉仪结构,其输入端与弯曲波导的输入端相连,其输出端与弯曲波导的输出端相连,以形成微环谐振腔,且其用于增加微环谐振腔的光损耗。行波电极,其用于向所述马赫曾德尔干涉仪结构加载电压,以使得马赫曾德尔干涉仪结构对输入其的光进行强度调制。本发明专利技术通过在微环非耦合区加入了MZI结构,利用微环临界耦合和非临界耦合状态的转换完成对入射光的调制。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于微环?马赫曾德尔干涉仪结构的电光调制器,其包括:入射波导,其为直波导,用于接收入射光和输出出射光;弯曲波导,其与入射波导近距离设置,使得经过入射波导内的入射光部分耦合进该弯曲波导,且经过该弯曲波导的出射光部分耦合进所述入射波导并输出;马赫曾德尔干涉仪结构,其输入端与弯曲波导的输入端相连,其输出端与弯曲波导的输出端相连,以形成微环谐振腔,且其用于增加微环谐振腔的光损耗。行波电极,其用于向所述马赫曾德尔干涉仪结构加载电压,以使得马赫曾德尔干涉仪结构对输入其的光进行强度调制。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:费永浩陈少武
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所
类型:发明
国别省市:

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