一种金纳米球一维排列热点结构及其应用制造技术

技术编号:9141601 阅读:165 留言:0更新日期:2013-09-12 03:24
本发明专利技术提供了一种金纳米球一维排列热点结构及其应用,属于表面等离子体微/纳结构领域。所述金纳米球一维排列热点结构通过将金纳米球分散液两次离心后,调节CTAB含量,然后加入连接分子得到。所述金纳米球一维排列热点结构可以在可见光范围观测到位于热点区域的分子的圆二色光谱信号,对位于热点区域的分子具有拉曼增强效应。能够在1分钟左右探测出不同单映体的连接分子,可探测的连接分子的浓度为微毫摩尔量级。探测速度快、灵敏度高,同时操作简便,无毒无害。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种金纳米球一维排列热点结构,其特征在于:所述金纳米球一维排列热点结构通过如下方法制备得到:步骤一、制备离心一次的金纳米球分散液通过种子生长法制备得到金纳米球分散液原液,离心得到沉淀和上层液体,取出上层液体后,向沉淀中加水,得到离心一次的金纳米球分散液;步骤二、制备优化的离心两次的金纳米球分散液取步骤一制备得到的离心一次的金纳米球分散液,再次离心,得到沉淀和上层液体;其中沉淀为表面包裹着CTAB的金纳米球;取出上层液体后,向沉淀中加入水,得到离心二次的金纳米球分散液;调节离心二次的金纳米球分散液中的CTAB含量,使分散液的Zeta电位在24.0±0.7mV~46.2±1.7mV,得到优化的离心...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王荣瑶王鹏丁腾
申请(专利权)人:北京理工大学
类型:发明
国别省市:

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