Li2In2SiSe6化合物、Li2In2SiSe6非线性光学晶体及制法和用途制造技术

技术编号:9138972 阅读:354 留言:0更新日期:2013-09-12 01:40
本发明专利技术涉及Li2In2SiSe6化合物、Li2In2SiSe6非线性光学晶体及制法和用途;该Li2In2SiSe6化合物采用固相反应制备;Li2In2SiSe6非线性光学晶体采用高温熔体自发结晶法或坩埚下降法生长;在该Li2In2SiSe6非线性光学晶体的生长中晶体易长大且透明无包裹,具有生长速度较快,成本低,容易获得较大尺寸晶体等优点;所得Li2In2SiSe6非线性光学晶体具有比较宽的透光波段,硬度较大,机械性能好,不易碎裂和潮解,易于加工和保存等优点;该Li2In2SiSe6非线性光学晶体可用于制作非线性光学器件。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种化学式为Li2In2SiSe6的化合物。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:姚吉勇尹文龙冯凯郝文钰傅佩珍吴以成
申请(专利权)人:中国科学院理化技术研究所
类型:发明
国别省市:

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