种子辅助液相合成一维纳米阵列ZnO薄膜方法技术

本发明专利技术公开一种以种子辅助法液相合成一维纳米阵列ZnO薄膜的方法。该方法总体上分为两步：①在表面洗净的FTO导电玻璃上溅射一层Zn(50~200nm)，然后放入马弗炉中煅烧(300～500℃)，便可得到一层致密的ZnO种子层；②将第一步所得到的具有种子层的FTO放到锌盐溶液中进一步水解得到所需的一维纳米阵列ZnO。本方法中种子层的制备不需要溶液的配置以及旋涂，解决了成膜不均匀的问题。后续的水解过程只需在短时间内即可合成出所需的ZnO，且得到的ZnO结晶性较好，方法简单，便于大规模生产。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种种子辅助液相合成一维纳米阵列ZnO薄膜方法，其特征在于包括以下具体步骤：第一步：在FTO基底上溅射厚度50~200nmZn，放入马弗炉中煅烧得到ZnO种子层；第二步：将0.035~0.05mol/L锌盐溶液搅拌滴入氨水直至溶液澄清；第三步：将混合溶液转移到反应釜中，将ZnO种子层置于溶液中，在50~90℃烘箱中反应3～10h即可；第四步：将反应得到的产物取出、清洗、烘干。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王雄，张艳鸽，李明，
申请(专利权)人：南京理工大学，
类型：发明
国别省市：