【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种利用缓冲层优化硅衬底上氮化铌薄膜超导性能的方法，包括如下步骤：（1）在高阻硅衬底上，通过磁控溅射六氮五铌薄膜作为缓冲层；（2）在真空室中原位磁控溅射氮化铌薄膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：贾小氢，康琳，涂学凑，顾敏，杨小忠，吴培亨，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：
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