一种窄带隙给受体材料及其应用制造技术

本发明专利技术涉及一种窄带隙给受体材料及其制备方法与应用，该材料以三并茚为核、以噻吩-苯噻唑衍生物为枝臂、咔唑基团封端的星型多取代化合物，其通式结构如下式I所示：通式I中，X为芳环结构，该材料具有化学结构明确、纯度高、能级可调、带隙窄、热稳定性能好、玻璃化转变温度高、易于形成均匀的无定形性薄膜等特点，可以采用简易的溶液成膜方式制备薄膜器件，在有机电致发光器件、有机电存储器件、有机场效应晶体管或有机太阳能电池等多个领域有重要的应用潜力，特别地，可以用于制作高效稳定的有机电致发光器件和有机电存储器件。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种窄带隙给受体材料，其特征在于该材料以三并茚为核、以噻吩?苯噻唑衍生物为枝臂、咔唑基团封端的星型多取代化合物，其通式结构如下式I所示：通式I中，X为芳环结构，其具体如下列结构：其中，R为C1?C12的烷基，C1?C12的烷氧基；N是氮原子，S是硫原子。dest_path_image001.jpg,2013101723874100001dest_path_image002.jpg

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赖文勇，赵玲玲，陈垚，张广维，黄维，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：