一种有机改性二硫化钼纳米片层及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种有机改性二硫化钼纳米片层的制备方法，其包括如下步骤：通过溶剂热法用插层剂对层状二硫化钼进行插层处理后离心、洗涤并干燥，得到插层二硫化钼；将插层二硫化钼水解，得到二硫化钼悬浮液；将有机改性剂加入二硫化钼悬浮液中，在25～90℃下反应3～10h，将得到的产物离心、洗涤并干燥，即获得有机改性二硫化钼纳米片层。本发明专利技术提供的有机改性二硫化钼纳米片层制备方法简单，成本低，制得的有机改性二硫化钼纳米片层的层间距大，能较好的分散在有机溶剂中且不易团聚，具有广阔的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种有机改性二硫化钼纳米片层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）通过溶剂热法用插层剂对层状二硫化钼进行插层处理后离心、洗涤并干燥，得到插层二硫化钼；（2）将步骤（1）制备的插层二硫化钼水解，得到二硫化钼悬浮液；（3）将有机改性剂加入步骤（2）制备的二硫化钼悬浮液中，在25～90℃下反应3～10h，将得到的产物离心、洗涤并干燥，即获得有机改性二硫化钼纳米片层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡源，周克清，桂宙，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：