薄膜晶体管阵列基板、显示面板和显示设备制造技术

本实用新型专利技术提供一种薄膜晶体管阵列基板、显示面板和显示设备，所述薄膜晶体管阵列基板包括基板本体、栅扫描线和数据扫描线，所述薄膜晶体管阵列基板还包括：多个用于记录所述栅扫描线和/或所述数据扫描线位置的定位标记。所述薄膜晶体管阵列基板通过使用定位标记来记录所述栅扫描线和/或所述数据扫描线的位置，使得在测试时，能够利用定位标记快速找到测试点的位置和不良的位置，从而提高测试的效率和不良分析的效率，同时与现有技术相比，测试过程不需要使用昂贵的导电介质，有效节约了测试成本，减少测试的外在影响因素从而提高测试结果的准确性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示
，尤其是指一种薄膜晶体管阵列基板及包含所述薄膜晶体管阵列基板的显示面板和显示设备。
技术介绍
在TFT (薄膜场效应晶体管)基板的电学特性检测中以及在寻找不良的过程中，测试效率，耗材的使用和不良分析效率很重要。在TFT的电学特性测试中，需要输入电学信号，而目前所使用的设备，当需要测试距基板边缘位置较远的点的电学特性时由于要单独数栅扫描线和数据扫描线来定位到需要测试的点，靠测试人员手动数很麻烦且容易出错，因此需要使用电学介质，通过它与测试探针的连接来给测试点输入信号进行测试。图1是TFT IXD阵列基板的示意图，该阵列包括01基板阵列，形成于01外侧的栅扫描线绑定区02 (gate pad)和数据扫描线绑定区03 (data pad)。图2是现有测试技术的测试示意图。如图2所示，在进行测试之前需要做一些准备工作:用一种化学液体把导电银胶04调匀，然后用一根细小的棍如牙签将银胶均匀涂在基板01上的栅扫描线绑定区02和数据扫描线绑定区03上，等待一段时间，让导电银胶自然风干或者借助烤箱使导电银胶凝固，最后将测试探针05压到导电银胶04上和对应的像素点07上，通过信号线06输入电学信号进行测试。图3是现有测试技术的测试示意图。如图3所示，在测试TFT LCD基板01上的某一像素的电学特性时，需要在栅扫描线绑定区02和数据扫描线绑定区03上找到对应的gate绑定线015和data绑定线016,当测试探针05压在对应的gate和data绑定线后，再在基板的像素区找到gate和data绑定线在像素区的交点处的像素07，最后将探针05压在该像素07上进行测试。以上所述，在图2的测试过程存在如下问题:导电银胶调匀与否没有一个标准；每次调匀后的导电银胶只是通过测试人员的眼睛来大概估计；导电银胶的涂敷也没有一个标准；涂敷的厚度没有标准；导电银胶涂敷后的等待时间较长；如果采用烤箱烘烤会对基板的电学特性有影响以及银胶的成分会发生变化。在图3的测试过程中，测试具体某一像素的电学特性时在像素区需要测试人员逐个的数像素来找到测试点像素，当该测试点像素距离基板边缘较远时，需要花费很长时间来数像素，并且容易数错，这样降低了测试效率增加了测试的不便利性。
技术实现思路
本技术技术方案的目的是提供一种薄膜晶体管阵列基板、显示面板和显示设备，能够避免TFT电学特性测试过程中采用人工手动数线的方式，达到提高测试效率的目的。本技术一方面提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括基板本体、栅扫描线和数据扫描线，其中，所述薄膜晶体管阵列基板还包括:多个用于记录所述栅扫描线和/或所述数据扫描线位置的定位标记。优选地，上述所述的薄膜晶体管阵列基板，所述定位标记以连续的数字、数字组合、字母或者字母组合来记录不同位置的所述栅扫描线或所述数据扫描线。优选地，上述所述的薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板还包括栅绝缘层，其中所述栅扫描线形成于所述基板本体上，所述栅绝缘层形成于所述栅扫描线上，所述定位标记与所述数据扫描线同时形成于所述栅绝缘层上。优选地，上述所述的薄膜晶体管阵列基板，所述定位标记位于所述栅扫描线的正上方。优选地，上述所述的薄膜晶体管阵列基板，相邻所述定位标记之间的距离为N个所述栅扫描线之间的距离或者为M个所述数据扫描线之间的距离。优选地，上述所述的薄膜晶体管阵列基板，在水平方向，相邻所述定位标记之间的间距为第一固定值；在竖直方向，相邻所述定位标记之间的间距为第二固定值。优选地，上述所述的薄膜晶体管阵列基板，所述第一固定值与N个所述数据扫描线之间的距离相等，所述第二固定值与M个所述栅扫描线之间的距离相等。优选地，上述所述的薄膜晶体管阵列基板，所述定位标记的宽度小于或等于所述栅扫描线的宽度。本技术另一方面还提供一种显示面板，包括如上任一项所述的薄膜晶体管阵列基板。本技术还提供一种显示设备，包括如上所述的显示面板。本技术具体实施例上述技术方案中的至少一个具有以下有益效果:所述薄膜晶体管阵列基板通过使用定位标记来记录所述栅扫描线和/或所述数据扫描线的位置，使得在测试时，能够利用定位标记快速找到测试点的位置和不良的位置，从而提高测试的效率和不良分析的效率，同时与现有技术相比，测试过程不需要使用昂贵的导电介质，有效节约了测试成本，减少测试的外在影响因素从而提高测试结果的准确性。附图说明图1表示现有技术TFT IXD阵列基板的结构示意图；图2表示现有技术TFT测试的测试结构示意图；图3表示现有技术TFT测试的测试结构示意图；图4表示本技术第一实施例所述TFT基板结构的俯视图；图5表示本技术第一实施例所述TFT基板结构的截面示意图；图6表示本技术第二实施例所述TFT基板结构的俯视图；图7表示定位标记的设置位置示意图。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例对本技术进行详细描述。本技术具体实施例所述薄膜晶体管阵列基板，包括基板本体、栅扫描线和数据扫描线，其中，所述薄膜晶体管阵列基板还包括:多个用于记录所述栅扫描线和/或所述数据扫描线的位置的定位标记。所述薄膜晶体管阵列TFT基板通过使用定位标记来记录所述栅扫描线和/或所述数据扫描线的位置，使得在测试时，能够利用定位标记快速找到测试点的位置和不良的位置，从而提高测试的效率和不良分析的效率，同时与现有技术相比，测试过程不需要使用昂贵的导电介质，有效节约了测试成本，减少测试的外在影响因素从而提高测试结果的准确性。以下将对本技术具体实施例所述TFT基板的具体结构及制备方法进行详细描述。图4为用于说明本技术第一实施例所述TFT基板结构的俯视图，图5为用于说明本技术第一实施例所述TFT基板结构的截面示意图。参阅图4及图5，所述TFT基板100包括:基板本体110;栅扫描线120，形成于所述基板本体110上；栅绝缘层130，形成于所述栅扫描线120上；数据扫描线140，形成于所述栅绝缘层130上；定位标记150，与数据扫描线140 —起形成于所述栅绝缘层130上。其中，所述定位标记150以连续的数字或数字组合的形式来记录不同位置的所述栅扫描线或所述数据扫描线。具体地，所述定位标记150形成于间隔一定距离的栅扫描线120的正上方，因此各个所述定位标记150 之间间隔设置，在水平方向，相邻定位标记150之间的距离为第一固定值，在竖直方向，相邻定位标记150之间的距离为第二固定值，如图7所示，该第一固定值可以为N个数据扫描线140之间的距离，该第二固定值可以为M个栅扫描线120之间的距离；此外，第一固定值也可以等于第二固定值，也即前、后、左、右相邻定位标记150之间的距离相等。另外，所述定位标记150的宽度小于或等于所述栅扫描线120的宽度。参阅图5，本技术第一实施例所述TFT基板的制备方法包括:步骤一，在玻璃材料的基板本体110上形成一层栅金属薄膜200，采用构图工艺在基板本体110上形成栅扫描线120 ;需要说明的是，基板本体的材料可以为玻璃，也可以为塑料或石英等材料；步骤二，在形成栅金属薄膜200的基板本体110上形成一层栅绝缘层薄膜，采用构图工艺形成栅绝缘层130，其中栅绝缘层130的材料通常本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列基板，包括基板本体、栅扫描线和数据扫描线，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板还包括：多个用于记录所述栅扫描线和/或所述数据扫描线位置的定位标记。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李利平，李坤，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：