本实用新型专利技术涉及一种超高频传感器损耗测量的试验回路，包括频谱分析仪、GIS设备、连接头、耦合器，所述的频谱分析仪设有RF输出端和RF输入端，所述的RF输出端通过连接头与GIS设备的信号输入端连接，所述的耦合器设在GIS设备的信号输出端，GIS设备的信号输出端通过所述耦合器连接RF输入端。与现有技术相比，本实用新型专利技术具有测试精确度高的优点。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种试验回路，尤其是涉及一种超高频传感器损耗测量的试验回路。
技术介绍
由于GIS的普遍推广，在检测和定位GIS内部局部放电的过程中，超高频法广泛被采纳。GIS设备中的SF6气体具有很高的绝缘强度。研究表明，处于高气压SF6气体环境中的局部放电，其放电信号的上升沿及持续时间极短，一般为ns级。典型GIS设备局部放电信号的频谱可从低频到数百MHz甚至IGHz以上。研究认为，GIS设备中的放电脉冲波不仅以横向电磁波(TEM波)的形式传播,而且还会以横向电场波(TE波)和横向磁场波(TM波)的方式传播。对于TE波和TM波存在一个下限截止频率，一般为几百MHz。当信号频率小于截止频率时，其衰减很大；而信号频率大于截止频率时，信号在传播时的损失很小。GIS设备的金属同轴结构是一个良好的波导，局部放电产生的超高频信号可以有效地沿波导传播。由于多处装有盆式绝缘子，这些绝缘子均为非铁磁材料，可以透射超高频电磁波信号。当GIS设备局部放电产生的电磁波沿金属同轴结构传播时，若在GIS内部装设稱合器,则可有效检测局部放电信号；部分信号可通过绝缘子向外辐射，装设外置耦合器，即可接收到这些从GIS设备内部传出的放电信号。与传统局部放电测量方法相比，检测超高频放电信号的方法(即UHF法)具有其独特的抗干扰特性。一般来讲，局部放电测量中所遇到的干扰信号主要是来自电网中电磁信号的干扰，如电晕干扰、空间高频干扰以及各种高压电气设备产生放电等，这些干扰均属于脉冲型干扰信号，其特征往往与局部放电信号相近，甚至一致。因此，就局部放电检测技术而言，解决测量过程中所遇到的干扰问题是目前传统局部放电测量中的主要难点，超高频法在此方面具有优势。但超高频法的缺点是无法实现GIS设备局部放电的放电量标定，对某些绝缘内放电的灵敏度相对较低。超高频法测量的信号频率很高，所检测到的信号与诸多因素有关，除放电量大小外还涉及局部放电源的类型及电磁信号的传播路径、放电源的位置等因素。
技术实现思路
本技术的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种测试精确度闻的超闻频传感器损耗测量的试验回路。本技术的目的可以通过以下技术方案来实现:一种超高频传感器损耗测量的试验回路，包括频谱分析仪、GIS设备、连接头、耦合器，所述的频谱分析仪设有RF输出端和RF输入端，所述的RF输出端通过连接头与GIS设备的信号输入端连接，所述的耦合器设在GIS设备的信号输出端，GIS设备的信号输出端通过所述耦合器连接RF输入端。所述的GIS设备内部设有用于进行末端阻抗匹配的调节电阻。所述的调节电阻包括多个并联的等值电阻。所述的连接头的一端为铜质金属头，GIS设备的信号输入端上覆盖有铜片，所述的铜质金属头焊接于所述铜片上。与现有技术相比，本技术通过频谱分析仪能够得到精度较高的测试信号，并且通过设置用于末端阻抗匹配的调节电阻，防止信号传输到GIS设备末端后发生全反射，形成驻波，从而提高测试的精确度。附图说明图1为本技术的结构示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本技术进行详细说明。实施例如图1所示，一种超高频传感器损耗测量的试验回路，包括频谱分析仪1、GIS设备2、连接头3、耦合器4。频谱分析仪设有RF输出端11和RF输入端12，RF输出端11通过连接头3与GIS设备2的信号输入端连接，耦合器4设在GIS设备2的信号输出端，GIS设备2的信号输出端通过所述耦合器4连接RF输入端12。连接头3的一端为铜质金属头，GIS设备2的信号输入端上覆盖有铜片，铜质金属头焊接于所述铜片上，保证信号传输的质量。在GIS设备2的内部设有用于进行末端阻抗匹配的调节电阻5，通过这些调节电阻5，可以防止信号传输到GIS设备末端后发生全反射，形成驻波，从而提高测试的精确度。了为使得匹配阻抗与波阻抗相等，因此使用多个等值的电阻并联布置的形式，以避免单个使用单个电阻进行匹配时杂散电感造成的影响，进一步提高测试的精确度。权利要求1.一种超高频传感器损耗测量的试验回路，其特征在于，包括频谱分析仪、Gis设备、连接头、耦合器，所述的频谱分析仪设有RF输出端和RF输入端，所述的RF输出端通过连接头与GIS设备的信号输入端连接，所述的耦合器设在GIS设备的信号输出端，GIS设备的信号输出端通过所述耦合器连接RF输入端。2.根据权利要求1所述的一种超高频传感器损耗测量的试验回路，其特征在于，所述的GIS设备内部设有用于进行末端阻抗匹配的调节电阻。3.根据权利要求2所述的一种超高频传感器损耗测量的试验回路，其特征在于，所述的调节电阻包括多个并联的等值电阻。4.根据权利要求1所述的一种超高频传感器损耗测量的试验回路，其特征在于，所述的连接头的一端为铜质金属头，GIS设备的信号输入端上覆盖有铜片，所述的铜质金属头焊接于所 述铜 片上。专利摘要本技术涉及一种超高频传感器损耗测量的试验回路，包括频谱分析仪、GIS设备、连接头、耦合器，所述的频谱分析仪设有RF输出端和RF输入端，所述的RF输出端通过连接头与GIS设备的信号输入端连接，所述的耦合器设在GIS设备的信号输出端，GIS设备的信号输出端通过所述耦合器连接RF输入端。与现有技术相比，本技术具有测试精确度高的优点。文档编号G01R31/14GK203164367SQ20132014512公开日2013年8月28日 申请日期2013年3月27日 优先权日2013年3月27日专利技术者肖嵘, 贺林, 高凯 申请人:国家电网公司, 上海市电力公司, 华东电力试验研究院有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种超高频传感器损耗测量的试验回路，其特征在于，包括频谱分析仪、GIS设备、连接头、耦合器，所述的频谱分析仪设有RF输出端和RF输入端，所述的RF输出端通过连接头与GIS设备的信号输入端连接，所述的耦合器设在GIS设备的信号输出端，GIS设备的信号输出端通过所述耦合器连接RF输入端。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：肖嵘，贺林，高凯，
申请(专利权)人：国家电网公司，上海市电力公司，华东电力试验研究院有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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