具有高浓度硼掺杂锗的晶体管制造技术

技术编号：9089296 阅读：170 留言：0更新日期：2013-08-29 02:40

公开了用于形成具有高浓度硼掺杂锗的源极和漏极区的晶体管器件的技术。在一些实施例中，在源极和漏极区及其对应的尖端区中使用选择性外延沉积提供原位硼掺杂锗，或者可替换地，覆盖有重硼掺杂锗层的硼掺杂硅锗。在一些此类情况下，锗浓度例如可以超过50原子%，并高达100原子％，硼浓度例如可以超过1E20cm-3。提供分级的锗和/或硼浓度的缓冲部可以用于更好地连接不同的层。在不使尖端陡度降级的情况下，在外延-金属分界面的掺杂在锗中的硼的浓度有效地降低了寄生电阻。这些技术例如可以体现在平面或非平面晶体管器件中。