用于PMOS集成的IV族晶体管制造技术

公开了用于形成IV族晶体管器件的技术，其具有含高浓度锗的源极/漏极区，且相对于常规器件展示了减小的寄生电阻。在一些示例性实施例中，源极/漏极区每一个都包括薄p型硅或锗或SiGe沉积，剩余源极/漏极材料沉积是p型锗或锗合金（例如锗:锡或其他适合的应变诱导物，具有至少80原子%的锗含量，和20原子%或更少的其他成分）。在一些情况下，可以在这个富锗帽层中观察到应变弛豫的证据，包括错配位错和/或穿透位错和/和双晶。可以使用多种晶体管结构，包括平面和非平面晶体管结构（例如，FinFET和纳米线晶体管），以及应变的和未应变的沟道结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·A·格拉斯，A·S·默西，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：
国别省市：