钨粉、电容器的阳极体和电解电容器制造技术

本发明专利技术涉及钨粉、电容器的阳极体、电解电容器，钨粉的制造方法和电容器的阳极体的制造方法，该钨粉在粒子表面具有硅化钨（W5Si3等），硅含量为0.05～7质量%。钨粉的平均一次粒径为0.1～1μm，硅化钨从该粒子表面到50nm以内局部存在，在表面的一部分具有氮化钨、碳化钨、硼化钨中的至少一种，优选：磷元素的含量为1～500质量ppm，氧含量为0.05～8质量%，将钨、硅、氮、碳、硼、氧和磷的各元素除外的元素的含量为0.1质量%以下，优选：钨造粒粉的平均粒径为50～200μm，比表面积为0.2～20m2/g。根据本发明专利技术，可以提供漏电流（LC）性能良好的钨电容器。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：内藤一美，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：
国别省市：