【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种基于块的NANDFLASH坏区动态标记处理方法，其特征在于先对NANDFLASH芯片进行检测，之后进行正常读写使用。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘秀娟，王健，王浩，张春侠，齐建宇，
申请(专利权)人：北京航天自动控制研究所，中国运载火箭技术研究院，
类型：发明
国别省市：
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