一种锰掺杂铌酸钾钠基无铅压电薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种锰掺杂的铌酸钾钠基无铅压电薄膜的制备方法，该发明专利技术是以非醇铌盐溶胶-凝胶法为基础，提供一种简单、易控制的工艺方法，首先制备稳定的锰掺杂KNN溶胶，然后在(Pt/TiO2/Ti/SiO2/Si)基片上旋涂KNN溶胶，转速为3200r/min，时间为30s，将湿膜在150℃烘干水分，然后在马弗炉中600℃保温10min；同样热处理条件，重复上述步骤8次，即旋涂8层。然后在700℃退火处理10min，最终薄膜厚度2～4μm，所得到的薄膜致密性好、漏电流性能得到改善。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种锰掺杂铌酸钾钠基无铅压电薄膜的制备方法的特征在于：a、本溶胶凝胶法采用二次沉淀的(Nb(OH)5)为铌源，使其与柠檬酸发生络合反应；b、通过向柠檬酸铌溶液中加入Mn离子，制备出锰掺杂的KNN前驱体溶胶。c、通过乙二醇酯化形成凝胶网络，加入PVP增加溶液的粘度，降低其热处理温度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张德庆，冯连振，杨秀英，郑方圆，刘纪鹏，曹茂盛，
申请(专利权)人：齐齐哈尔大学，
类型：发明
国别省市：