一维氧化铜纳米阵列葡萄糖传感器电极材料及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种一维氧化铜纳米阵列葡萄糖传感器电极材料及其制备方法，该氧化铜纳米阵列电极材料是在铜片上原位生长一维氧化铜纳米阵列材料。所采用的制备方法是在三电极体系下，利用阳极氧化的方法对铜基底表面进行刻蚀，经过煅烧后使铜基底形成大面积、致密均匀的氧化铜纳米阵列。此方法反应条件温和、操作简单、成本低。该材料具有显著的尺寸效应，高比表面积，及高活性位点暴露等结构优势，竖直的生长取向及独立的结构单元使其具良好的导电性和电子传输能力，因此在应用做电分析检测葡萄糖氧化反应时，展现了极好的灵敏度，极宽的线性范围及极低的检测线，同时具有良好的选择性、可重复性及稳定性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种一维氧化铜纳米阵列葡萄糖传感器电极材料，该电极材料是在铜片表面上原位生长一维氧化铜纳米材料且以阵列形式分布,?表面生长的一维氧化铜纳米材料的形状是管、棒或带状，其直径为200?300nm，长度为10?15?μm；且具有竖直取向生长、尺寸均一、结构规整。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘军枫，许丽，刘熙俊，孙晓明，
申请(专利权)人：北京化工大学，
类型：发明
国别省市：