光电转换元件以及具备该元件的太阳电池制造技术

本发明专利技术提供一种包括可大致一样地被覆基底层的缓冲层且光电转换效率的面内均一性高的光电转换元件。本发明专利技术的光电转换元件是在基板（10）上依序积层着下部电极层（20）、光电转换半导体层（30）、缓冲（40）层、及透光性导电层（50）的光电转换元件（1），该光电转换半导体层（30）以包含Ib族元素、IIIb族元素、VIb族元素的至少1种黄铜矿结构的化合物半导体作为主成分，且上述光电转换元件（1）于缓冲层（40）的上述透光性导电层（50）侧的表面（40s）包含羰离子（C），缓冲层（40）为包含三元化合物的平均膜厚10nm以上70nm以下的薄膜层，该三元化合物包含不含镉的金属、氧、以及硫。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：河野哲夫，加贺洋史，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：
国别省市：