制备二有机二卤代硅烷的方法技术

本发明专利技术公开了一种制备二有机二卤代硅烷的方法，所述方法包括：在存在包含至少两种金属的金属催化剂的情况下和300℃至800℃的温度下使根据式RSiX3(I)的有机三卤代硅烷与氢气接触，形成二有机二卤代硅烷，其中R为C1-C10烃基，X为卤素，并且所述至少两种金属中的两者选自下列中的至少一者：(i)铜和钯，(ii)铜和金，(iii)铟和铱或(iv)铱和铼。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿斯维尼·K·达什，查尔斯·艾伦·霍尔，D·卡佐利斯，罗伯特·托马斯·拉森，马修·J·麦克劳克林，J·D·瓦恩兰，
申请(专利权)人：道康宁公司，
类型：
国别省市：