阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及显示技术领域，公开了一种阵列基板及显示装置，所述阵列基板，包括衬底基板和阵列排布的多个薄膜晶体管，还包括：位于所述衬底基板上的公共电极线；位于所述衬底基板上与所述公共电极线电连接的公共电极；覆盖所述公共电极线、公共电极和衬底基板的绝缘层；所述薄膜晶体管位于所述绝缘层上，并且与每一行所述薄膜晶体管的栅极连接的扫描线位于所述公共电极线的上方。所述显示装置，包括上述阵列基板。采用本实用新型专利技术技术方案，由于公共电极线位于扫描线的下方，并且扫描线与公共电极线间采用绝缘层进行绝缘，因此，彩膜基板的黑矩阵的线宽可以相应减小，进而提高了面板开口率和透过率。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示
，特别是涉及一种阵列基板及一种显示装置。
技术介绍
在平板显示装置中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display,简称TFT-1XD)具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和无福射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。目前，TFT-LCD的显示模式主要有TN (Twisted Nematic,扭曲向列)模式、VA(Vertical Alignment,垂直取向)模式、IPS (In-Plane-Switching,平面方向转换)模式和AD-SDS (ADvanced Super Dimension Switch,高级超维场转换技术,简称ADS)模式等。其中，基于ADS模式的显示器通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-1XD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。如图1所示，现有技术的ADS模式的TFT-1XD阵列基板结构示意图，图为俯视图；图2为图1的A-A面的断面结构示意图，可以更好地看到阵列基板内部结构，如图1和图2所示，其结构包括:衬底基板1，形成于衬底基板I之上的公共电极3 (即板状电极)、公共电极线2以及扫描线12 (包括栅极4)，其中，公共电极线2与公共电极3电连接，还包括栅极绝缘层5，有源层7，数据线11 (包括源极8、漏极9)，钝化层6，多个像素电极10 (即狭缝电极)。每一个阵列基板包括多条平行的扫描线12和与扫描线12垂直的多条平行的数据线11，由数据线11和扫描线12交叉形成的 矩形区称为像素区，每一个像素区内有一个薄膜晶体管，一行薄膜晶体管设置有一条与这行的薄膜晶体管的栅极连接的扫描线。如图3所示，现有技术ADS模式的TFT-1XD液晶盒的结构示意图，即彩膜基板和阵列基板对盒的结构示意图，彩膜基板内的彩色滤光层21以彩色光阻作为滤光膜层覆盖于像素区，每个彩色滤光层可以透过红绿蓝三原色其中一种原色的光，而黑矩阵22需要覆盖在薄膜晶体管、扫描线12、数据线11及公共电极线2上以防各像素间漏光，并且能增加三原色的对比度。现有技术存在的缺陷在于，由于阵列基板上公共电极线的存在，彩膜基板上黑矩阵就要覆盖在公共电极线上方，导致面板的开口率和透过率较低。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种阵列基板及一种显示装置，用以提高面板的开口率和透过率，进而提闻面板的売度。本技术阵列基板，包括衬底基板和阵列排布的多个薄膜晶体管，还包括:位于所述衬底基板上的公共电极线；位于所述衬底基板上与所述公共电极线电连接的至少一个公共电极；覆盖所述公共电极线、公共电极和衬底基板的绝缘层；所述多个薄膜晶体管位于所述绝缘层上，并且与每一行所述薄膜晶体管的栅极连接的扫描线位于所述公共电极线的上方。优选的，所述公共电极位于所述公共电极线的两侧并与所述公共电极线电连接。优选的，所述绝缘层为氮化硅绝缘层。优选的，所述的阵列基板，还包括:覆盖所述薄膜晶体管的钝化层；位于所述钝化层上的多个像素电极，所述像素电极位于所述公共电极的上方。优选的，所述像素电极为氧化铟锡像素电极。优选的，所述公共电极为氧化铟锡公共电极。本技术还涉及一种显示装置，包括上述任一种所述的阵列基板。在本技术阵列基板中，由于所述公共电极线位于扫描线的下方，并且扫描线与公共电极线间采用绝缘层进行绝缘，因此，彩膜基板的黑矩阵只覆盖至扫描线上方即可，因此黑矩阵的线宽可以相应减小，进而提高了面板开口率和透过率。此外，由于公共电极上方增加了一层绝缘层，因此，可以有效降低存储电容，从而减小像素的充电时间，也利于制作高解像度的产品。附图说明图1为现有技术ADS模式的TFT-1XD阵列基板结构示意图；图2为图1的A-A面的断面结构示意图；图3为现有技术ADS模式的TFT-1XD液晶盒的结构示意图；图4为本技术阵列基板一实施例结构示意图；图5为图4的B-B面的断面结构示意图；图6为本技术液晶盒的结构示意图；图7为本技术阵列基板另一实施例结构不意图；图8为本技术阵列基板的制造方法流程示意图。附图标记:1-衬底基板2-公共电极线3-公共电极4-栅极5-栅极绝缘层6-钝化层7-有源层8-源极9-漏极10-像素电极11_数据线12-扫描线13-绝缘层21-彩色滤光层22-黑矩阵具体实施方式为了提高面板开口率，本技术提供了一种阵列基板及一种显示装置，以及阵列基板的制造方法。在该技术方案中，由于公共电极线位于扫描线的下方，因此，彩膜基板上的黑矩阵的线宽可以相应减小，进而提高了面板开口率和透过率，并且在扫描线和公共电极线之间采用绝缘层隔离，有效降低了存储电容，进而缩短了像素的充电时间。为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，以下举具体实施例对本技术作进一步详细说明。如图4所示，本技术阵列基板一实施例结构示意图，图5为图4的B-B面的断面结构示意图，结合图4和图5所示，本技术阵列基板，包括衬底基板I和阵列排布的多个薄膜晶体管，还包括:位于衬底基板I上的公共电极线2 ;位于衬底基板I上与公共电极线2电连接的至少一个公共电极3 ；覆盖公共电极线2、公共电极3和衬底基板I的绝缘层13 ；所述多个薄膜晶体管位于绝缘层13上，并且与每一行薄膜晶体管的栅极4连接的扫描线12位于公共电极线2的上方。在本技术实施例中，由于公共电极线2位于扫描线12的下方，因此，如图6所示，本技术液晶盒结构示意图，对应的彩膜基板的黑矩阵22只需覆盖在扫描线12的上方，而现有技术中，如图1所示，扫描线12和公共电极线2平行排列，黑矩阵22需要覆盖在扫描线12和公共电极线2的上方，因此，采用本技术的技术方案，可以有效减小黑矩阵在扫描线方向的线宽(图6中的虚线部分为现有技术的黑矩阵的宽度，可见本技术的黑矩阵的线宽相应减少)，提高了面板开口率和透过率，进而提高了面板的亮度。此外，公共电极3上增加了一层绝缘层13，因此，可以有效降低存储电容，进而减少像素的充电时间，利于高解像度面板的制造。优选的，如图7所示，本技术阵列基板另一实施例的结构示意图，公共电极3位于公共电极线2的两侧并与公共电极线2电连接。在本技术实施例中，每一条公共电极线2可以与它两侧的公共电极3电连接，可以提高公共电极线2的利用率，并可以减少公共电极线2的制作个数。优选的，如图5所示，绝缘层13的材质为氮化硅。在本技术实施例中，绝缘层13的材质可以有多种选择，只要防止公共电极线2和扫描线绝缘即可，所以可以选用多种绝缘材料，优选氮化硅作为绝缘层13，具体可以采用化学气相沉积的方法形成绝缘层。优选的，如图5所示，本技术实施例的阵列基板，还包括:覆盖薄膜晶体管的钝化层6 ；位于钝化层6上的多个像素电极10，像素电极10位于公共电极3的上方。在本技术实施例中，像素电极10和公共电极3作为存储电容两个极板，两者之间的绝缘层13本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括衬底基板和阵列排布的多个薄膜晶体管，其特征在于，还包括：位于所述衬底基板上的公共电极线；位于所述衬底基板上与所述公共电极线电连接的公共电极；覆盖所述公共电极线、公共电极和衬底基板的绝缘层；所述多个薄膜晶体管位于所述绝缘层上，并且与每一行所述薄膜晶体管的栅极连接的扫描线位于所述公共电极线的上方。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴洪江，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：