卤素掺杂AZO导电膜及其制备方法技术

本发明专利技术属于导电薄膜领域，其公开了一种卤素掺杂AZO导电膜及其制备方法；该导电薄膜的化学通式为ZnO1-xRx:yAl3+；其中，R为掺杂元素，R选自F、Cl或Br，x的取值范围为0.05～0.2，y的取值范围为0.01～0.1。本发明专利技术采用磁控溅射设备，制备卤素掺杂AZO导电膜，其在450～790nm波长范围可见光透过率85％～90％，方块电阻范围20～100Ω/□，表面功函数5.3～5.9eV。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及导电薄膜领域，尤其涉及一种卤素掺杂AZO导电膜及其制备方法。
技术介绍
透明导电薄膜电极，是有机电致发光器件(OLED)的基础构件，其性能的优劣直接影响着整个器件的发光效率。其中，氧化铟锡(ITO)是最常用的透明导电薄膜材料，具有较高的可见光透光率和低的电阻率。而氧化铝锌(AZO)材料是研究最热门的ITO替代材料，原料廉价，无毒环保，具有良好的光电性能。目前，AZO的导电性和透光性能已经接近ΙΤ0，逐渐进入商品化的阶段。但是要在OLED器件中作为阳极应用，还要求透明导电薄膜阳极具有较高的表面功函数。而AZO的功函数一般只有4.2 4.5eV,经过UV光辐射或臭氧等处理之后也只能达到4.7 5.1eV,与一般的有机发光层的HOMO能级(典型的为5.7 6.3eV)还有比较大的能级差距，造成载流子注入势垒的增加，妨碍着发光效率的提高。。
技术实现思路
本专利技术所要解决的问题之一在于提供一种可以提高发光效率的卤素掺杂AZO导电膜的制备方法。一种卤素掺杂AZO导电膜的制备方法，其制备工艺如下:S1、称取A1203、ZnO和ZnR2粉体，经过均匀混合后，在900 1300°C下烧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种卤素掺杂AZO导电膜的制备方法，其特征在于，该制备方法的步骤如下：S1、称取Al2O3、ZnO和Znr2粉体，经过均匀混合后，在900～1300℃下烧结处理，制得陶瓷靶材；其中，R选自F、Cl或Br；Al2O3、ZnO和ZnR2粉体的摩尔数分别为0.005～0.05mol、0.8～0.95mol以及0.05～0.2mol；S2，将步骤S1中得陶瓷靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体中，并将真空腔体设置成真空态；S3，调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为45～95mm，磁控溅射工作压强0.2～4Pa，氩气工作气体的流量为10～35sccm，衬底温度为250℃～750℃，溅射功率为30...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，陈吉星，黄辉，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，
类型：发明
国别省市：