【技术实现步骤摘要】
本技术涉及灵敏光电探测技术,具体涉及一种适用于MPPC的高速门模式探测电路。
技术介绍
在灵敏光电探测领域,基于光电倍增管(PMT)及雪崩光电二极管(APD)探测器的研究已取得的了非常大的进展。近几年,尤其是基于雪崩光电二极管的探测器可以实现单光子水平的探测,极大的提高了灵敏光电探测的应用领域。单个雪崩光电二极管,例如硅-雪崩光电二极管(Si APD),当其偏置电压超过雪崩击穿电压时,Aro就工作在盖格模式,单个光子激发的光生载流子能够导致自持性的雪崩,经后端电路对雪崩脉冲的提取放大,即可得到对应单个光子的雪崩信号,实现对单个光子的探测。对于单个工作在盖格模式下APD,由多个光子同时到达激发的雪崩信号幅度与单个光子激发的雪崩幅度几乎一样,不能用现有的科学仪器测量和区分,难以实现光子数可分辨探测。多像素光子计数器(MPPC)是一种MXN的两维的Si ATO阵列,这些Si APD具有共同的阴极与阳极输出。当MPPC两端偏置电压超过它们的击穿电压,这些Si Aro就工作在盖格模式,每个Si Aro在接收到光子时,都可能被激发而产生自持性的雪崩,形成宏观雪崩电流脉冲,可 ...
【技术保护点】
一种适用于MPPC的高速门模式探测电路,涉及MPPC偏置电路,所述MPPC偏置电路由所述MPPC与直流偏置电压、限流电阻以及取样电阻串联组成,其特征在于所述探测电路由正弦门模块和信号提取模块组成,所述正弦门模块与所述MPPC的阴极相连,所述信号提取模块与所述MPPC的阳极相连。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:孔伟斌,梁焰,王致远,任旻,王晓萌,黄建华,赵冬燕,吴光,曾和平,
申请(专利权)人:华东师范大学,
类型:实用新型
国别省市:
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