一种显示装置、彩膜基板及其制作方法制造方法及图纸

技术编号:9007432 阅读:166 留言:0更新日期:2013-08-08 02:31
本发明专利技术涉及显示技术领域,特别涉及一种显示装置、彩膜基板及其制作方法。该彩膜基板包括:基板;彩色像素区域,其包括多个像素单元,所述像素单元至少包括红色子像素单元、蓝色子像素单元和绿色子像素单元;所述像素单元中的各色子像素单元间隔设置在所述基板的一侧;黑矩阵,其设置于各色子像素单元之间。本发明专利技术提供一种显示装置、彩膜基板及其制作方法,通过先形成彩色像素区域后采用喷墨工艺形成黑矩阵,最大程度地减小像素单元的角段差,增加表面平坦性,可以有效降低产线不良的发生率;同时采用喷墨方式制作黑矩阵的工艺,一方面大大降低初期产线投入的成本,另一方面可减少制作黑矩阵用的材料用量,提高材料的利用率,从而降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
,特别涉及。
技术介绍
近年来,随着科技的发展,液晶显示器技术也随之不断完善。TFT-1XD (Thin FilmTransistor-Liquid Crystal Display,薄膜场效应晶体管-液晶显示器)以其图像显示品质好、能耗低、环保等优势占据着显示器领域的重要位置。目前TFT-1XD主要由阵列基板和彩膜基板对盒形成,对盒后的空腔内填充液晶。现有的彩膜基板基于红绿蓝三原色的彩膜基板,液晶面板通过驱动IC的电压改变来控制液晶分子的排列状态,而形成开关式选择背光源的光线是否穿透,经三原色比例调合形成不同的色彩,从而使得液晶显示器呈现出亮丽、鲜艳的画面。如图1所示,为传统彩膜基板结构示意图,其包括基板I’、设置在基板I’上用于遮光的黑矩阵2’和彩色像素层(包括多个像素单元,所述像素单元至少包括红色子像素单元31’、蓝色子像素单元33’和绿色子像素单元32’),根据需要,还可以包括透明导电层和位于彩色像素区域上的保护层。现有技术中,上 述结构的彩膜基板的制作过程均是采用Slit Coater (狭缝涂布)或者Spin Coater (旋转涂布)的涂布方式,在基板I’上通过曝光依次形成黑矩阵2’,彩色 像素层等结构。由于彩色像素层的两侧均搭接在黑矩阵2 ’上,致使彩色像素层的上表面出现不平坦的现象(即在彩色像素层的上表面形成中间低、两侧高呈“牛角”形状的角段差,具体如附图1中圆圈A处所示)。而这种彩色像素层上出现的角段差现象会严重影响彩膜基板中膜面的平整度,从而引起产线中不良的发生,影响产品品质。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术要解决的技术问题是提供,以克服现有技术中的彩色像素层的两侧搭接在黑矩阵上,致使彩色像素层的上表面出现不平坦现象,导致影响彩膜基板中膜面的平整度,引起产线中发生不良影响产品品质的缺陷。(二)技术方案为解决上述技术问题,本专利技术提供一种彩膜基板,包括:基板;彩色像素区域,其包括多个像素单元,所述像素单元至少包括红色子像素单元、蓝色子像素单元和绿色子像素单元;所述像素单元中的各色子像素单元间隔设置在所述基板的一侧;黑矩阵,其设置于各色子像素单元之间。进一步地,所述黑矩阵填充于相邻的各色子像素单元之间的空白缝隙中,所述黑矩阵的高度小于或等于所述像素单元的高度。进一步地,位于相邻两个子像素单元之间的黑矩阵沿所述相邻两个子像素单元的排布方向的截面为梯形,所述梯形远离所述基板的上底边的长度大于靠近所述基板的下底边的长度。进一步地,所述黑矩阵的材质为不透光的树脂材料。另一方面,本专利技术还提供一种显示装置,包括上述的彩膜基板。再一方面,本专利技术还提供一种彩膜基板的制作方法,包括:步骤S10、在基板上采用构图工艺形成彩色像素区域,其包括多个像素单元,所述像素单元至少包括红色子像素单元、蓝色子像素单元和绿色子像素单元;所述像素单元中的各色像素单元间隔设置在所述基板的一侧;步骤S20、采用喷墨工艺在各色子像素单元之间形成黑矩阵。进一步地,所述黑矩阵采用不透光的树脂材料。进一步地, 所述步骤S20具体包括:步骤S201、采用喷墨工艺通过喷嘴在相邻各色子像素单元之间的空白缝隙处滴入不透光的树脂材料;步骤S202、通过紫外线照射或者热处理对不透光的树脂材料进行固化形成黑矩阵。进一步地,所述黑矩阵的高度小于或等于所述像素单元的高度。进一步地,位于相邻两个子像素单元之间的黑矩阵沿所述相邻两个子像素单元的排布方向的截面为梯形,所述梯形远离所述基板的上底边的长度大于靠近所述基板的下底边的长度。(三)有益效果本专利技术提供,通过先形成彩色像素区域后采用喷墨工艺形成黑矩阵,最大程度地减小了像素单元的角段差,增加了表面平坦性,可以有效降低了产线不良的发生率;同时采用喷墨方式制作黑矩阵的工艺,一方面大大降低了初期产线投入的成本,另一方面可减少制作黑矩阵用的材料用量,提高材料的利用率,从而降低生产成本。附图说明图1为传统彩膜基板结构示意图;图2为本专利技术实施例彩膜基板结构示意图;图3为图2中A-A’或B-B’剖视图;图4为本专利技术实施例采用喷墨工艺形成黑矩阵示意图;图5为本专利技术实施例彩膜基板可视范围角度增加示意图;图6为本专利技术实施例彩膜基板制作方法的工艺流程图。图中:1、基板;2、黑矩阵;31、红色子像素单元;32、绿色子像素单元;33、蓝色子像素单元;1’、基板;2’、黑矩阵;31’、红色子像素单元;32’、绿色子像素单元;33’、蓝色子像素单J Li ο具体实施例方式实施例一下面结合附图和实施例,对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术,但不用来限制本专利技术的范围。如图2所示,本实施例以TN (Twisted Nematic,扭曲向列)模式为例,该彩膜基板包括:基板I ;彩色像素区域,其包括多个像素单元,所述像素单元至少包括红色子像素单元31、蓝色子像素单元33和绿色子像素单元32 ;所述像素单元中的各色子像素单元间隔设置在基板I的一侧;黑矩阵2,其设置于各色子像素单元之间。其中,基板I的材质可以采用玻璃、石英、树脂等透明材料,在此不做限定。另外,各色子像素单元在基板上的排列方式并不仅仅限于图2中所示,还可以为同列排布的子像素单元为不同颜色交替的马赛克方式(Mosaic型)、构成像素单元的不同颜色子像素单元呈现三角形排布的方式(Delta型)等,在此不做限定。具体的,该黑矩阵填充于相邻的各色子像素单元之间的空白缝隙中。具体的,黑矩阵可填充于红色子像素单元和蓝色子像素单元之间,同时填充于蓝色子像素单元和绿色子像素单元之间等各色子像素单元之间的空白缝隙中。另外,设置黑矩阵2的高度小于或等于像素单元的高度。如图3所示,位于相邻两个子像素单元之间的黑矩阵沿所述相邻两个子像素单元的排布方向的截面为梯形,所述梯形远离所述基板的上底边的长度大于靠近所述基板的下底边的长度。参见图中A-A’的方向或B-B’的方向即为相邻两个像素单元的排布方向。优选的,所述黑矩阵的材质可以选用不透光的树脂材料。所述不透光的树脂材料能用于遮挡光线并且可用于喷墨工艺。 参考图5,基于现有技术中的黑矩阵结构,光线最多只能从虚线位置a射出,而由于本实施例中的黑矩阵设置成“倒梯形”,下底边的宽度窄于现有技术中黑矩阵的宽度,因此,光线最多可从实线位置b射出,使得光线能够透过的区域增大了,设定虚线a和实线b之间的夹角为Θ,从而视角也有了 Θ值的提升。另外,本实施例中彩膜基板除了包含上述结构外,还可以包括保护层和透明导电层,其中,该保护层位于彩色像素区域上,用于平整该彩色像素区域和黑矩阵。在保护层的表面具有一层透明导电层,用于形成像素电极。该透明导电层可以采用ITO (氧化铟锡)、IZO (氧化铟锌)等透明导电材料制成。需要说明的是,本实施例中的彩膜基板包括但并不局限应用于TN模式,同样适用于例如VA(Vertical Alignment,垂直取向)模式、ADS(ADvanced Super Dimension Switch,高级超维场转换技术)模式等其他模式,而采用ADS模式时,透明导电层则设于基板的背面,即与彩色像素区域相反的一侧。其中,ADS模式为:通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种彩膜基板,其特征在于,包括:基板;彩色像素区域,其包括多个像素单元,所述像素单元至少包括红色子像素单元、蓝色子像素单元和绿色子像素单元;所述像素单元中的各色子像素单元间隔设置在所述基板的一侧;黑矩阵,其设置于各色子像素单元之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张思凯吴洪江王耸张继凯黎敏
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司北京京东方显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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