【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微波器件领域，具体涉及一种微波器件禁带形成的控制方法。
技术介绍
等离子体光子晶体是指等离子体和介质呈周期结构排列的人工周期结构，是光子晶体的一个特殊分支，不仅具有一般光子晶体的物理性质，而且由于受等离子体物理性质的影响，等离子体光子晶体的特性主要包括:光子带隙特性、光子局域特性和光学特性。其中光子的带隙特性尤为引起人们的关注，在光学上，等离子体光子晶体还具有自身独特性质，具有在微波滤波器、等离子体天线、等离子体透镜等诸多方面的潜在应用价值。申请(专利)号为CN200410016099.0的“一种调节二维光子晶体禁带的方法”的专利技术，提供了一种调节二维光子晶体禁带的方法。从光子晶体基本理论以及半导体、电磁场理论可知，对于二维光子晶体结构，外加磁场B可以改变共振频率ω c，从而对TE波的ε (ω)函数产生影响，而对于TM传播态，由于ε (ω)函数中不含coc项，也就意味着和磁场无关；因此，利用二维光子晶体结构柱子延伸方向加磁场，改变该光子晶体结构对TE传播态电磁波的禁带位置和分布，从而调节二维光子晶体禁带。该方法复杂，只能通过改变晶体管的排布规律来...
【技术保护点】
一种二维等离子体光子晶体带隙控制方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一:建立二维等离子体光子晶体模型，利用模型的反射系数，获取二维等离子体光子晶体带隙大小；步骤二：利用高斯脉冲函数来表示等离子体频率，通过高斯脉冲函数表达式的变化来调节和控制二维等离子体光子晶体带隙大小。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨利霞，陈伟，施卫东，许红蕾，郑晶，
申请(专利权)人：江苏大学，
类型：发明
国别省市：
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