一种硅量子点的制备及其应用制造技术

本发明专利技术公开了一种硅量子点的制备及其对多巴胺分子的荧光标记方法，属于纳米技术领域。该方法首先制备出多孔硅，再经化学刻蚀，获得硅量子点前驱体，超声处理后获得硅量子点；上述硅量子点前驱体可与氢氟酸反应，产生表面Si-H，再依次与十一烯酸、N-羟基丁二酰亚胺和多巴胺反应，最后经超声处理，获得硅量子点荧光标记的多巴胺分子。与现有技术相比，本发明专利技术以硅片为原料，采用化学刻蚀法，能在低温、常压下实现对多巴胺分子的硅量子点荧光标记；由于化学修饰反应发生在硅量子点前驱体的表面，经溶剂浸泡、冲洗就能实现产物与反应物的分离，简化了分离操作。该方法也可以用于对其它含伯胺基生物分子的硅量子点荧光标记。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种硅量子点的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将洁净的平面硅片浸入5.0M氢氟酸和0.005M硝酸银混合水溶液中，进行化学刻蚀反应，控制反应温度在50℃，反应时间为60min；（2）取出步骤（1）得到的硅片，放入33%的硝酸水溶液中浸泡20min，取出后用大量去离子水冲洗，并用氮气吹干，获得多孔硅；（3）将步骤（2）获得的多孔硅浸入1～8M氢氟酸与1M硝酸组成的混合水溶液中，控制反应温度在30～60℃，反应时间为30～180min，获得硅量子点前驱体，经过超声处理可获得硅量子点。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘祥，程鹤鸣，赵田田，
申请(专利权)人：安徽工业大学，
类型：发明
国别省市：