【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于对在有机材料中所包含的异物缺陷进行评价的评价用基板、缺陷检查方法以及缺陷检查装置。
技术介绍
在半导体器件的制造中,执行基于使用了光致抗蚀剂的光刻法的微细加工。近年来,半导体器件的高集成化不断发展,所使用的活性光线也有向KrF受激准分子激光(248nm)、ArF受激准分子激光(193nm)、F2受激准分子激光(157nm)这样短波长化的趋势。在使用这些光源的光刻工序中,会发生因来自基板的曝光光的反射所造成的驻波的影响、由基板的台阶差引起的曝光光的不规则反射的影响等而造成的光致抗蚀剂图案的尺寸精度降低的问题。因此,研究了在光致抗蚀剂与被加工基板之间设置反射防止膜(BottomAnt1-Refletive Coating:BARC,底部防反射涂层)的方法。作为反射防止膜,已知例如有钛、二氧化钛、氮化钛、氧化铬、碳、a -硅等无机反射防止膜、以及由吸光性物质和高分子化合物构成的有机反射防止膜。无机反射防止膜的成膜需要真空蒸镀装置、CVD装置、溅射装置等设备;与此相对,有机反射防止膜在不需要特别的设备这一点上是有利的。因此,正在进行大量的有机反射防 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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