发光二极管装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供发光二极管装置及其制造方法，该发光二极管装置的制造方法具备：准备封装树脂层的工序；将发光二极管元件埋设在封装树脂层中的工序；以及边利用气体对埋设有发光二极管元件的封装树脂层加压、边进行加热的工序。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及、详细而言，涉及发光二极管元件被封装树脂层封装的。
技术介绍
已知发光二极管装置是通过利用封装树脂层封装发光二极管元件(LED)而得到的。例如提出了以下的方法(例如参照日本特开2011-228525号公报。)。S卩，提出了如下的方法:在安装有光半导体元件的基板上以被覆光半导体元件的方式形成封装材料，其后，将它们在真空压制装置中，在减压下用压制板夹持，并且边真空压制边进行加热，使封装材料固化，利用该封装材料封装光半导体元件，从而得到光半导体>J-U ρ α装直。在日本特开2011-228525号公报的方法中，通过利用真空压制的加压，会减少封装材料中孔隙(气泡)的产生。
技术实现思路
_6] 专利技术要解决的问题 但是，日本特开2011-228525号公报记载的方法中，由于用压制板夹持封装材料并进行加压及加热，因此，压力高、且加热时间长时会存在以下问题:容易对装置施加载荷、或封装材料(片)容易产生变形.应变、或容易碎裂。进而，真空压制中，压力高时，对光半导体元件施加的挤压力容易变得不均匀，这种情况下，有时光半导体元件会损伤、或在封装树脂层中残留孔隙(void)。本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管装置的制造方法，其特征在于，其为制造发光二极管元件被封装树脂层封装的发光二极管装置的方法，所述方法包括如下工序：准备封装树脂层的工序；将发光二极管元件埋设在所述封装树脂层中的工序；以及边利用气体对埋设有所述发光二极管元件的所述封装树脂层加压、边进行加热的工序。

【技术特征摘要】
2012.01.27 JP 2012-0157961.一种发光二极管装置的制造方法，其特征在于， 其为制造发光二极管元件被封装树脂层封装的发光二极管装置的方法， 所述方法包括如下工序: 准备封装树脂层的工序； 将发光二极管元件埋设在所述封装树脂层中的工序；以及 边利用气体对埋设有所述发光二极管元件的所述封装树脂层加压、边进行加热的工序。2.根据权利要求1所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，所述封装树脂层由B阶的热固化性树脂形成。3.根据权利要求1所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，所述封装树脂层在25°C下的压缩弹性模量为0.0riMPa...

【专利技术属性】
技术研发人员：片山博之，大薮恭也，佐藤慧，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：