六边形纳米片阵列及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种六边形纳米片阵列及其制备方法。阵列为衬底上附有按六方有序排列的周期为200～2000nm的六边形纳米片阵列，其中，六边形纳米片的片厚为10～100nm、片单边长为100～1500nm，其由金属或金属氧化物构成；方法为先于衬底上涂敷聚甲基丙烯酸甲酯、将聚苯乙烯胶体球附于其上、使用氩等离子体刻蚀，得到其上依次覆有聚甲基丙烯酸甲酯和六边形单层胶体晶体模板的衬底，再于其上蒸镀铝膜、使用粘连的方法将六边形单层胶体晶体模板及其上的铝膜去除，之后，先对其使用氧等离子体刻蚀、蒸镀金属或金属氧化物，再将其置于二氯甲烷溶液中溶去聚甲基丙烯酸甲酯后，进行洗涤和氮气吹干的处理，制得目标产物。它可广泛用于光电器件、生物传感、纳米电极等领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种纳米片阵列及制备方法，尤其是一种。
技术介绍
纳米材料因其小尺寸效应、大的比表面积，以及在多方面展现出的优异性质而越来越引起人们的广泛关注。近期，人们为了进一步地探索和拓展纳米材料的应用范围，制备出了各种有序排列的纳米片阵列。可是，组成这些纳米片阵列的形貌各异的纳米片中却未见六边形的纳米片，而按照六方有序排列的六边形纳米片阵列因其独特的形貌，在光电器件、生物传感、纳米电极等领域将具有潜在的应用优势，将会展现出光明的应用前景。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题为克服现有技术中的不足之处，提供一种按照六方有序排列的六边形纳米片阵列。本专利技术要解决的另一个技术问题为提供一种上述六边形纳米片阵列的制备方法。为解决本专利技术的技术问题，所采用的技术方案为:六边形纳米片阵列包括衬底，特别是，所述衬底上附有按六方有序排列的六边形纳米片阵列，所述六边形纳米片阵列的周期为200 2000nm ； 所述组成六边形纳米片阵列的六边形纳米片的片厚为10 lOOnm、片单边长为100 1500nm ；所述六边形纳米片由金属或金属氧化物构成。作为六边形纳米片阵列的进一步改进，所述的六本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种六边形纳米片阵列，包括衬底，其特征在于：所述衬底上附有按六方有序排列的六边形纳米片阵列，所述六边形纳米片阵列的周期为200～2000nm；所述组成六边形纳米片阵列的六边形纳米片的片厚为10～100nm、片单边长为100～1500nm；所述六边形纳米片由金属或金属氧化物构成。

【技术特征摘要】
1.一种六边形纳米片阵列，包括衬底，其特征在于: 所述衬底上附有按六方有序排列的六边形纳米片阵列，所述六边形纳米片阵列的周期为 200 2000nm ； 所述组成六边形纳米片阵列的六边形纳米片的片厚为10 lOOnm、片单边长为100 1500nm ； 所述六边形纳米片由金属或金属氧化物构成。2.根据权利要求1所述的六边形纳米片阵列，其特征是六方有序排列为六方有序松散排列。3.根据权利要求1所述的六边形纳米片阵列，其特征是金属为金，或银，或铜，或铁，或招，或镍，或锌，或钛，或鹤，或锡。4.根据权利要求1所述的六边形纳米片阵列，其特征是金属氧化物为氧化铝，或氧化锌，或氧化钛，或氧化钨，或氧化锡。5.根据权利要求1所述的六边形纳米片阵列，其特征是衬底为导体，或半导体，或绝缘 体。6.一种权利要求1所述六边形纳米片阵列的制备方法，其特征在于完成步骤如下: 步骤1，先于衬底上涂敷厚度为300 500nm的聚甲基丙烯酸甲酯后,将其置于160 200°C下保温3 4min，得到其上覆有聚甲基丙烯酸甲酯的衬底，再将球直径为200nm 2μπι的聚苯乙烯胶体球附于其上覆有聚甲基丙烯酸甲酯的衬底表面后，将其置于110 130°C下保温15 60s，得到其上依次覆有聚甲基丙烯酸甲酯和球形单层胶体晶体模板的衬底； 步骤2，先对其上依次覆有聚甲基丙烯酸甲酯和球形单层胶体晶体模板的衬底使用氩等离子体刻蚀40 60min，得到其上依次覆有聚甲基丙烯酸甲酯和六边形单层胶体晶体模板的衬底，再于其上依次覆有聚甲基丙烯酸甲酯和六边形单层胶体晶体模板的衬底上蒸镀厚度为40 60nm的铝膜，得到其上依次覆有聚甲基丙烯酸甲酯...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘广强，段国韬，李越，其他发明人请求不公开姓名，
申请(专利权)人：中国科学院合肥物质科学研究院，
类型：发明
国别省市：