具有高弛豫和低缺陷密度的SGOI或sSOI的制备方法技术

本发明专利技术提供一种具有高弛豫和低缺陷密度的SGOI或sSOI的制备方法。根据本发明专利技术的方法，先在衬底的单晶表面进行离子注入后，再形成包含由Si1-xGex/Ge或Si/Si1-xGex形成的超晶格结构的多层材料层；随后，在已形成多层材料层的结构表面低温生长Si1-yGey和/或Si后，进行退火处理，以使表层的Si1-yGey层发生弛豫现象；最后再采用智能剥离技术将已发生弛豫现象的结构中的至少部分层转移到含氧衬底的含氧层表面，以形成SGOI或sSOI结构；由此可有效避免现有超厚缓冲层在材料和时间方面的浪费及现有先长后注对外延层的影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及一种。
技术介绍
现获得较高质量SiGe材料的普遍办法有:1、厚的缓冲层技术——这种方法导致缓冲层有几个微米厚度，并且缺陷密度仍然很高，厚的缓冲层不仅增加了生产时间，而且增加了生产成本；2、先长后注一即先生长应变的SiGe，然后通过Hor He离子注入退火使外延层弛豫，这种方法虽然节省可成本，但注入的离子会经过外延层，导致转移材料质量下降。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种，以避免形成的SiGe缓冲层过厚导致材料质量不佳等问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种，其至少包括以下步骤:1)在衬底的单晶表面进行离子注入后，再形成包含由SihGexAie或SVSihGexB成的超晶格结构的多层材料层；2)在已形成多层材料层的结构表面低温生长SihGey和/或Si后，进行退火处理，以使表层的SihGey层发生弛豫现象；以及3)采用智能剥离技术将已发生弛豫现象的结构中的至少部分层转移到含氧衬底的含氧层表面，经过化学腐蚀和/或抛光以形成SGOI或sSOI结构。优选地，所述步骤1)中注入的离子包括Ar离子、Si离子及Ge中的一种或多种；更为优选地，注入Ar离子或Si离子的注入能量为25kev、注入剂量范围为I 1.3 X IO15/cm2 ;注入Ge离子的注入能量为40kev、注入剂量范围为0.6 X 1015/cm2。优选地,接触所述单晶表面的SihGexA^e或Si/Si^xGexM料层的单层厚度在IOnm以下。优选地，每一 SihGeyGe或Si材料层的厚度在十纳米范围内。优选地，在衬底的单晶表面外延生长3个周期以上的包含由SihGexAie或Si/SihGex形成的超晶格结构，以获得所述多层材料层，且使所述多层材料层总厚度不超过IOOnm0如上所述，本专利技术的，具有以下有益效果:可有效避免现有超厚缓冲层在材料和时间方面的浪费及现有先长后注对外延层的影响。附图说明图1-图7显示为本专利技术的的流程图。具体实施例方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图1至图7。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。如图所示，本专利技术提供一种，所述制备方法包括以下过程:第一 步:在衬底的单晶表面进行离子注入后，再形成包含由SihGeiZGe或Si/SihGex形成的超晶格结构的多层材料层。例如，先在单晶Si衬底上注入Ar离子、Si离子及Ge离子中的一种或多种离子，如图1所示，优选地，注入Ar离子或Si离子的注入能量和剂量的优选范围分别为25kev及I 1.3 X IO1Vcm2 ;注入Ge离子的注入能量和剂量的优选范围为40kev和0.6X 1015/cm2 ；接着，再在该已注入离子的衬底上外延生长SihGeiZGe或Si/SihGe,的超晶格结构的多层材料，其中0 < X < I。优选地，在该已注入离子的衬底上外延生长所述超晶格结构3个周期以上；更为优选地，先在该衬底上外延生长第一层SihGeiZGe或Si/SihGe,材料层，其单层厚度在IOnm以下，如图2所示；随后再继续生长Ge或Siz^SihGex的材料层，如图3所示，优选地，该Ge或SVSihGej^A材料层的厚度在十纳米以下；接着，在已形成的结构表面继续外延生长Ge或Si/SihGe,的材料层，优选地，该继续外延出的Ge或Si/SihGe,的材料层的厚度也在十纳米范围内；重复外延生长Ge或SVSihGex的材料层多次，如图4所示，且使每一次外延生长Ge或SVSihGex的材料层的厚度在几纳米至十纳米范围内，并使由超晶格结构组成的整个多层材料层的总厚度不超过lOOnm。第二步:在已形成多层材料层的结构表面低温生长SihGey和/或Si后，进行退火处理，以使表层的SihGey层发生弛豫现象，其中0 < y < I。例如，在图4所示的结构表面再以范围在400度 500度内的一低温生长SihyGey和/或Si后，进行退火处理，以使表层的SipyGey层发生弛豫现象，如图5所示。优选地，所述退火处理采用高温退火处理，例如，以800 950度范围内的一温度进行退火处理，使超晶格材料及顶层低温生长的SiGe层发生部分或完全弛豫，进而顶层Si带有应变。第三步:采用智能剥离技术将已发生弛豫现象的结构中的至少部分层转移到含氧衬底的含氧层表面，经过化学腐蚀和/或抛光以形成SGOI或sSOI结构。例如，如图6所示，对已发生弛豫现象的结构进行H离子注入，并且与另外一包含Si02/Si层的氧化片进行键合，随后再通过选择性腐蚀技术或化学机械抛光技术(即CMP)来获得sSOI结构(如图7所示)或SGOI (未予图示)。需要说明的是，本领域技术人员应该理解，可通过控制注入的H离子的能量来调节剥离位置，在此不再予以详述。综上所述，本专利技术的利用超晶格结构材料的生长来制备高质量的锗硅及应变Si材料，而且，通过先注入的离子在后续退火的作用下，使顶层锗硅材料发生弛豫现象，再利用智能键合技术制备高质量的SGOI或sSOI衬底材料，可有效避免现有超厚缓冲层在材料和时间方面的浪费及现有先长后注对外延层质量的影响。所以，本专利技术有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。上述实施例仅例示性说明本专利技术的原理及其功效，而非用于限制本专利技术。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本专利技术的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属
中具有通常知识者在 未脱离本专利技术所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本专利技术的权利要求所涵盖。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有高弛豫和低缺陷密度的SGOI或sSOI的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括步骤：1)在衬底的单晶表面进行离子注入后，再形成包含由Si1?xGex/Ge或Si/Si1?xGex形成的超晶格结构的多层材料层；2)在已形成多层材料层的结构表面低温生长Si1?yGey和/或Si后，进行退火处理，以使表层的Si1?yGey层发生弛豫现象；3)采用智能剥离技术将已发生弛豫现象的结构中的至少部分层转移到含氧衬底的含氧层表面，经过化学腐蚀和/或抛光以形成SGOI或sSOI结构。

【技术特征摘要】
1.一种具有高弛豫和低缺陷密度的SGOI或sSOI的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括步骤: 1)在衬底的单晶表面进行离子注入后，再形成包含由SihGexAie或SVSihGex形成的超晶格结构的多层材料层； 2)在已形成多层材料层的结构表面低温生长SihGey和/或Si后，进行退火处理，以使表层的SihGey层发生弛豫现象； 3)采用智能剥离技术将已发生弛豫现象的结构中的至少部分层转移到含氧衬底的含氧层表面，经过化学腐蚀和/或抛光以形成SGOI或sSOI结构。2.根据权利要求1所述的具有高弛豫和低缺陷密度的SGOI或sSOI的制备方法，其特征在于:所述步骤I)中注入的离子包括Ar离子、Si离子及Ge中的一种或多种。3.根据权利要求2所述的具有高弛豫和低缺陷密度的SGOI或sSOI的制备方法，其特征在于:注入Ar离子或Si离子的注入能量为25kev、注入剂量范围为I 1.3X IO1Vcm2 ；注入Ge离子的注入能量为40kev、注入剂量范围为0.6X ...

【专利技术属性】
技术研发人员：张苗，陈达，薛忠营，狄增峰，王刚，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：