端烯多氟二芳基乙炔液晶化合物及其制备方法技术

技术编号:8955505 阅读:155 留言:0更新日期:2013-07-24 21:36
本发明专利技术涉及端烯多氟二芳基乙炔液晶化合物及其合成方法,该化合物的结构式如下式I所示,式中(F)m、(F)n均表示氟原子取代,m、n表示氟原子的取代个数,其取值为0~2,x表示所连接亚甲基的个数,其取值为0~3,R表示C1~C15烷基、C1~C15烯基、C1~C15烷氧基、C1~C15烯氧基。本发明专利技术采用亲核取代、偶联反应等经典反应,合成该类化合物,操作简单,产品收率和纯度高,该化合物具有负介电各向异性大,熔点低,液晶相区间宽、双折射大等优点,可用于双频液晶显示模式。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于材料
,具体涉及一种。
技术介绍
双频液晶(DFLCs)可以同时降低液晶的响应时间Tm和弛豫时间Irff,在提高液晶的响应速度具有独特的优势,在大屏幕电视方面具有很好的应用前景。双频液晶材料是以负介电各向异性化合物为主体配方,添加正介电各向异性化合物而组成的。侧向多氟取代三联苯化合物,表现出较大的负介电各向异性、较高的双折射等优点,但是其熔点较高,且相变区间较窄,难以满足在双频液晶中的应用。侧向多氟取代二芳基乙炔类液晶化合物,表现出大的负介电各向异性,高的双折射和宽的相变区间,可应用于双频液晶显示模式,并可获得较快的响应速度。目前报道应用最多的此类化合物主要以烷基或烷氧基为端基的液晶化合物(Liq.Cryst.2012,39,957-963.),如以下化合物:

【技术保护点】
端烯多氟二芳基乙炔液晶化合物,其特征在于,该化合物的结构式如式I所示:式中(F)m、(F)n均表示氟原子取代,m、n表示氟原子的取代个数,其取值为0~2,x表示连接亚甲基的个数,其取值为0~3,R表示C1~C15烷基、C1~C15烯基、C1~C15烷氧基、C1~C15烯氧基。FSA00000875991200011.tif

【技术特征摘要】
1.端烯多氟二芳基乙炔液晶化合物,其特征在于,该化合物的结构式如式I所示:2.根据权利要求1所述的端烯多氟二芳基乙炔液晶化合物,其特征在于:所述的m的取值为O,η的取值为O或2,χ的取值为O或I。3.根据权利要求1所述的端烯多氟二芳基乙炔液晶化合物,其特征在于:所述的m的取值为2,η的取值为O或2,χ的取值为O或I。4.根据权利要求1 3中任意一项所述的端烯多氟二芳基乙炔化合物,其特征在于:所述的R的碳原子为2 5。5.根据权利要求4所示的端烯多氟二芳基乙炔化合物,其特征在于:所述的R为C2 C5的直链烷基。6.端烯多氟二芳基乙炔液晶化合物,为, 4-乙基苯基-4’ -稀丙氧基-2,3,2’,3’ -四氣二苯乙块; 4-丙基苯基-4’ -稀丙氧...

【专利技术属性】
技术研发人员:安忠维莫玲超陈新兵陈沛
申请(专利权)人:陕西师范大学
类型:发明
国别省市:

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