本发明专利技术为一种显示面板。显示面板包含：至少一触控感测像素以及一读取电路。该至少一触控感测像素包含：一第一栅线；一感测线；一触控感测单元，电连接于该第一栅线与一接地电压之间；一第一晶体管，电连接于该触控感测单元与该感测线；以及一修正电路，电连接于该第一晶体管，根据一参考电压与一临界电压来提供一修正偏压至该第一晶体管栅极。该读取电路电连接于该感测线，其响应于该感测线的电流变化而输出一触控读取信号。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种显示面板，且特别是具触控功能的显示面板。
技术介绍
随着触控技术与显示技术的集成，在面板上提供内嵌式(in-cell)触控感测的应用也日益普及。请参照图1A，其绘示在面板上以内嵌方式提供触控感测功能的示意图。此图式说明如何在既有的显示面板技术上，搭配触控感测电路而判断各像素是否产生触控操作的作法。面板上提供了多个纵向的数据排线(Data line，简称为DL)与多条横向的选取排线/栅线(Gate Line，简称为GL)。数据排线DL用以提供画面显示的数据，而栅线则是以循序扫描的方式，驱动各列上的像素。就显示技术的部分，面板上的每一个个别的彩色像素是通过三种颜色(红色R、绿色G、蓝色B)的子像素来产生，这些子像素响应数据线(data line)的数据以及选取电极的时钟而显示相对应的色光。这部分的作法与一般的显示技术大致相同，此处不予详述。就触控感测的作法而言，面板针对每一列的像素均提供了触控感测电路101。每一个触控感测电路101均电连接于相对应的栅线GL、感测线(Sense Line，简称为SL)与输入电压VDD (电平电压)上。各个栅线将依序轮流被扫描，此时在该栅线上的晶体管将因此而驱动。当读取电路102通过感测线SL读取由触控感测电路101传送的信息时，便可以根据感测线SL所反应的电性变化来判断是否产生触控。例如:在触控产生时，感测线SL的电压将会与未被触碰时的电压有差异。读取电路102将感测线SL的电压变化传送至模拟数字转换器(未绘式)后，再通过相关的控制器(未绘式)与软件来识别触控操作的类型、提供对应的光标操作等。请参见图1B，其是具触控功能的面板循序扫描各栅线并感测触控是否发生的示意图。由于每一个触控感测电路101均搭配相对应的栅线GL使用，因此，面板上扫描各个栅线GL的频率便与触控感测电路101读取的频率相当，例如，两者均为60Hz。根据图1B可以看出，无论是用来致能栅线的重置信号(reset)，或是读取电路102读取栅线时，栅线GL接受信号的时点均先于栅线GL。若是读取电路102在对各栅线进行读取的过程中，在栅线GL所对应的位置产生触控操作，触控感测电路101中的感测电压Vdet将发生改变。例如:未发生触控时，感测电压Vdet的电压将高于发生触控时的电压。面板在使用过程中，各个像素内的晶体管的栅极电压可能会发生变动，随着寿命的增加，晶体管的栅极电压变化可能是变大，也可能是变小，而这些变化都将连带使得流经晶体管的导通电流发生变动。当栅极电压VG上升时，将连带使晶体管的临界电压Vth上升，进而使导通电流的电流值下降；当栅极电压VG下降时，将连带使晶体管的临界电压Vth跟着下降，进而使导通电流Iro的电流值上升。换言之，随着长时间的电路操作，晶体管的临界电压容易产生变异，让触控感测电路的感测效果减弱。目前市场上主要的薄膜晶体管液晶显示器(liquidcrystal display,简称为IXD)技术包含非晶娃(amorphous silicon,简称为a_Si)薄膜晶体管液晶显示器，以及低温多晶娃(lower temperature poly-crystal silicon,简称为LTPS)薄膜晶体管液晶显示器两类。其中，a-Si类型的薄膜晶体管液晶显示器具有产能大、生产制程较短、成本也较低等特性；而LTPS类型的薄膜晶体管液晶显示器则具有面板效能较佳、分辨率精细等优势。采用这两种技术类型的面板在提供触控感测功能时，都具有前述临界电压会影响导通电流的问题。因此，如何改善晶体管的临界电压变异情形，并延长晶体管的使用寿命是一个相当受到关切的问题。
技术实现思路
本专利技术的一方面为一种显示面板，包含:至少具有一触控感测像素，包含:一第一栅线；一感测线；一触控感测单元，电连接于该第一栅线与一接地电压之间；一第一晶体管，电连接于该触控感测单元与该感测线；以及一修正电路，电连接于该第一晶体管，根据一参考电压与一临界电压来提供一修正偏压至该第一晶体管栅极；以及一读取电路，电连接于该感测线，其响应该感测线的电流变化而输出一触控读取信号。为了对本专利技术的上述及其它方面有更佳的了解，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。附图说明图1A，其绘示在面板上以内嵌方式提供触控感测功能的示意图。图1B，其是具触控功能的面板循序扫描各栅线并感测触控是否发生的示意图。图2A，其是根据本专利技术构想，在触控感测像素中提供修正电路的示意图。图2B，其是根据本专利技术构想，在触控感测像素中提供第一种态样的修正电路的示意图。图2C，其是根据本专利技术构想，在触控感测像素中提供第二种态样的修正电路的示意图。图3A，其是以根据本专利技术构想的第二种电路态样为基础的电路架构示意图。图3B，其是根据本专利技术构想的第一较佳实施例，辅以说明图3A的电路架构中，相关信号线的电压变化的波形图。图4A，其是根据本专利技术构想的第一较佳实施例，在第一阶段提供输入电压作为感测电压的示意图。图4B，其是根据本专利技术的第一较佳实施例，在第二阶段将感测电压降低至参考电压与临界电压之和的示意图。图4C，其是根据本专利技术构想的第一较佳实施例，在第三阶段将感测电压维持在参考电压与临界电压之和的示意图。图4D，其是根据本专利技术构想的第一较佳实施例，在第四阶段响应栅线被扫描时而导通晶体管的示意图。图5A，其是根据本专利技术的第二较佳实施例的电路架构示意图。图5B，其是说明本专利技术的第二较佳实施例在不同控制阶段的示意图。图6A，其是根据本专利技术的第三较佳实施例的电路架构示意图。图6B，其是说明本专利技术的第三较佳实施例在不同控制阶段的示意图。图7A，其是根据本专利技术的第四较佳实施例的电路架构示意图。图7B，其是说明本专利技术的第四较佳实施例在不同控制阶段的示意图。图8A，其是根据本专利技术的第五较佳实施例的电路架构示意图。图SB，其是说明本专利技术的第五较佳实施例在不同控制阶段的示意图。图9A，其是根据本专利技术的第六较佳实施例的电路架构示意图。图9B，其是说明本专利技术的第六较佳实施例在不同控制阶段的示意图。触控感测电路101 读取电路102修正电路2O1、2O2、203触控感测像素20、21、22、30、50、60、70、80、90具体实施例方式根据前述说明可以得知，无论是非晶硅TFT IXD，或是低温多晶硅TFT IXD，在提供内嵌式触控感测功能时，均面临TFT的临界电压产生变异，并影响导通电流的现象。请参见图2A，其是根据本专利技术构想，在触控感测像素中提供修正电路的示意图。触控感测像素20包含:栅线GL、设置于栅线GL与接地电压间的参考电容Cref与液晶电容Clc,电连接于感测线SL与输入电压的薄膜晶体管(thin film transistor,简称为TFT) TFT I,以及电连接于晶体管TFTl的修正电路201。以下先说明晶体管TFTl的操作，接着将说明修正电路201的用途。栅线GL通过参考电容Cref与液晶电容Clc连接至低电位Vcom，其中参考电容Cref的电容量维持固定，而液晶电容Clc会响应触控而产生电压变化。简单来说，感测节点Sdec上的感测电压Vdet可以根据参考电容Cref与液晶电容Clc的分电压效应计算得出。若液晶电容Clc在未发生触控操作时，液晶电容Clc的原始电容本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种显示面板，包含：至少一触控感测像素，包含：一第一栅线；一感测线；一触控感测单元，电连接于该第一栅线与一接地电压之间；一第一晶体管，电连接于该触控感测单元与该感测线；以及一修正电路，电连接于该第一晶体管，根据一参考电压与一临界电压来提供一修正偏压至该第一晶体管栅极；以及一读取电路，电连接于该感测线，其响应该感测线的电流变化而输出一触控读取信号。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：谢承祖，
申请(专利权)人：群康科技深圳有限公司，奇美电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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