一种三氯氢硅提纯装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种三氯氢硅提纯装置，其包括预处理系统、一级脱重塔和二级脱轻塔，预处理系统、一级脱重塔和二级脱轻塔间采用串联方式连接；其中预处理塔包括下部再沸器、预处理塔、预处理塔冷凝器、预处理塔回流罐、预处理塔釜液储罐；一级脱重塔包括一级塔进料泵、一级塔下部再沸器、一级塔、一级塔冷凝器、一级塔回流罐、一级塔釜液储罐；二级脱轻塔包括二级塔进料泵、二级塔下部再沸器、二级塔、二级塔冷凝器、二级塔回流罐、三氯氢硅储罐；该装置具有生产能力大，分离效率高，压降低，抗堵能力强，结构简单，造价低廉等突出优点，可以实现产品质量的稳定和提高，杂质含量降低到极低，能耗的大幅度降低，实现了大规模提高经济效益的目的。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种三氯氢硅的提纯装置，属于化工生产设备

技术介绍
三氯氢硅(HSiCl3),又名硅氯仿，硅仿，三氯硅烷，是一种重要的高附加值原料，主要用作半导体工业中制造超纯多晶硅和高纯硅烷的原料及外延生长的硅源。高纯多晶硅是电子工业和太阳能光伏产业的基础原料。近年来，全球太阳能电池产量快速增加，直接拉动了多晶硅需求的迅猛增长。全球多晶硅由供过于求转向供不应求。受此影响，作为太阳能电池主要原料的多晶硅价格快速上涨。改良西门子法是目前生产多晶硅最为成熟、投资风险最小、最容易扩建的工艺，所生产的多晶硅占当今世界生产总量的70 % 80 %。三氯氢硅(TCS)是改良西门子法生产多晶硅的中间产品，三氯氢硅的纯度直接影响到多晶娃广品的纯度，二氣氧娃的提纯是多晶娃生广的关键环节。现有技术中已公开了多种三氯氢硅的提纯方法。传统的多塔精馏法根据杂质含量的高低依次分离，虽然可以达到提纯效果，但是投资额大，生产成本高，而且物耗能耗偏高。现有技术中也公开了使用较少精馏塔提纯三氯氢硅的方法。中国专利文献CN201704076U公开了一种三氯氢硅提纯装置，由脱轻塔、两级三氯氢硅精馏塔和四氯化硅精馏塔组本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三氯氢硅的提纯装置，其特征在于：其包括预处理系统、一级脱重塔和二级脱轻塔，预处理系统、一级脱重塔和二级脱轻塔间采用串联方式连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张远弟，
申请(专利权)人：昆明理工大学，
类型：实用新型
国别省市：