基板对位标记及其制作方法、基板技术

本发明专利技术属于对位技术领域，公开了一种基板对位标记及其制作方法、基板，通过在基板的不同层结构上制作两个对位标记图案，当其中一个对位标记形成过程中由于镀膜不平，导致对位时无法识别该对位标记时，还可以通过识别另一个对位标记进行对位，提升了对位标记的识别成功率，从而大大降低了基板制作工艺中由于无法识别对位标记导致的次品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对位
，特别是涉及一种基板对位标记及其制作方法、基板。
技术介绍
液晶显示技术发展至今已经相当成熟，各个面板公司的主要竞争越来越趋向于良率的提升和成本的下降。光刻是薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display,简称为“TFT-1XD”)生产中的必须环节，曝光机进行曝光时为了实现各层之间图形的重合度符合要求，通常在基板的周边上制作对位标记，来保证对位精确。现有技术中的对位标记一般与薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称为“TFT”)的栅电极或源漏电极同层制作，在生产过程中涂覆、沉积或溅射等工艺形成栅电极金属层薄膜或源漏电极金属层薄膜时，可能会出现金属镀膜不平的现象，导致进行对位时显微镜下的对位标记显示为小黑点，无法有效识别并实现对位，从而增加了次品率。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术提供一种基板对位标记及其制作方法，用以解决对位标记形成过程中由于镀膜不平，导致对位时无法识别对位标记的问题；本专利技术还提供一种基板，其上具有如上所述的基板对位标记，降低基板制作工艺中由于无法识别对位标记导致的次品率。(二)技术方案为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种基板对位标记，其包括位于基板不同层结构上的第一对位标记图案和第二对位标记图案；其中，所述第一对位标记图案和第二对位标记图案的中心重合，且不存在交叠部分。如上所述的基板对位标记，优选的是，所述第二对位标记图案位于所述第一对位标记图案所在的区域内；所述第一对位标记图案和第二对位标记图案均为空心结构，或所述第一对位标记图案为空心结构，所述第二对位标记图案为实心结构。如上所述的基板对位标记，优选的是，所述第一对位标记图案和第二对位标记图案具有相似结构。如上所述的基板对位标记，优选的是，所述第一对位标记图案和第二对位标记图案均为空心的十字结构，或所述第一对位标记图案为空心的十字结构，所述第二对位标记图案为实心的十字结构。如上所述的基板对位标记，优选的是，所述第一对位标记图案和第二对位标记图案为不相似结构。如上所述的基板对位标记，优选的是，所述第一对位标记图案为空心的十字结构，所述第二对位标记图案为圆环结构，或所述第一对位标记图案为空心的十字结构，所述第二对位标记图案为实心圆结构。同时，本专利技术还提供一种基板，其上具有对位标记，所述对位标记采用如上所述的基板对位标记。如上所述的基板，优选的是，所述基板上形成有薄膜晶体管；所述第一对位标记图案由与薄膜晶体管的栅电极相同的金属层制成；所述第二对位标记图案由与薄膜晶体管的源漏电极相同的金属层制成。相应地，本专利技术提供还一种基板对位标记的制作方法，包括形成第一对位标记图案的步骤和形成第二对位标记图案的步骤；其中，所述第一对位标记图案和第二对位标记图案位于基板的不同层结构上，且中心重合，不存在交叠部分。如上所述的基板对位标记的制作方法，优选的是，还包括形成薄膜晶体管的步骤；形成第一对位标记图案的步骤具体为:与薄膜晶体管的栅电极同层形成所述第一对位标记图案；形成第二对位标记图案的步骤具体为:与薄膜晶体管源漏电极同层形成所述第二对位标记图案。(三)有益效果本专利技术所提供的基板对位标记及其制作方法，通过在基板的不同层结构上制作两个对位标记图案，当其中一个对位标记形成过程中由于镀膜不平，导致对位时无法识别该对位标记时，还可以通过识别另一个对位标记进行对位，提升了对位标记的识别成功率，从而大大降低了基板制作工艺中由于无法识别对位标记导致的次品率。附图说明图1为本专利技术实施例中基板对位标记的结构图一；图2为图1沿A-A方向的剖视图；图3为本专利技术实施例中基板对位标记的结构图二 ；图4为本专利技术实施例中基板对位标记的结构图三；图5为本专利技术实施例中基板对位标记的结构图四。具体实施例方式下面结合附图和实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。需要说明的是，以下内容中的术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。实施例一为提升基板制作工艺中对位标记的识别成功率，本实施例中提供一种基板对位标记的制作方法，其包括形成第一对位标记图案的步骤和形成第二对位标记图案的步骤。其中，第一对位标记图案和第二对位标记图案位于基板的不同层结构上(这里的不同层结构是指基板上由不同层薄膜形成的图案，相应地，同层结构是指基板上由同一层薄膜形成的图案)，且中心重合，即第一对位标记图案和第二对位标记图案的中心上下对应，位于一条直线上，使得分别通过两个对位标记进行对位时，能够保持对位的一致性。且第一对位标记图案和第二对位标记图案不存在交叠部分，保证其中一个对位标记无法识别时，不会影响通过识别另一个对位标记进行对位的过程。通过在基板的不同层薄膜上制作两个对位标记图案，当其中一个对位标记形成过程中由于镀膜不平，导致对位时无法识别该对位标记时，由于两个形成对位标记图案的层同时发生镀膜不同的概率非常低，因此还可以通过识别另一个对位标记进行对位，从而提升了对位标记的识别成功率。根据上述实施例，本领域所属技术人员很容易推出，还可以制作更多对位标记图案，使它们的中心均重合，且任意两个对位标记图案均位于基板的不同层结构上，具体工作原理与两个对位标记图案的情况一样，使得对位标记的识别成功率更高，但由于成功率提高有限，且会增加制作成本，所以一般只需制作两个对位标记图案即可满足需求。下面将以具有底栅结构TFT的阵列基板的制作过程为例来具体说明本实施例中基板对位标记的制作过程:首先，与薄膜晶体管的栅电极同层形成第一对位标记图案。具体的，在通过涂覆、沉积或溅射等工艺在衬底基板(如:玻璃基板、石英基板或透明树脂基板，且如图2中的附图标记3所示)上形成栅电极金属层薄膜后，可以采用普通掩膜版通过一次构图工艺同时形成包括TFT栅电极和第一对位标记的图案(如图2中的附图标记I所示)。通常，第一对位标记位于衬底基板的周边。然后，与薄膜晶体管的源漏电极同层形成第二对位标记图案。具体的，通过涂覆、沉积或溅射等工艺在衬底基板上依次形成栅极绝缘层、有源层(这两个层如图2中的附图标记4所示意)以及源漏金属层薄膜，并在源漏金属层薄膜上方涂覆光刻胶；之后，例如，采用半色调或灰阶掩膜版进行曝光、显影处理，使得光刻胶形成光刻胶半保留区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域。其中，光刻胶半保留区域对应于TFT的沟道区域，光刻胶完全保留区域对应于TFT源漏电极和第二对位标记所在的区域，光刻胶完全去除区域对应于其他图案所在的区域；然后通过灰化工艺去除TFT沟道上方的光刻胶，并对TFT源漏电极和第二对位标记上方的光刻胶起到一个减薄的作用；之后刻蚀掉TFT沟道区域上方的源漏金属层薄膜和部分有源层(具体为，采用干刻法刻蚀掉TFT沟道区域上方的源漏金属层薄膜，并采用湿刻法刻蚀掉TFT沟道区域上方的部分有源层)，形成TFT沟道；最后剥离剩余的光刻胶，形成TFT源漏电极和第二对位标记(如图2中的附图标记2所示)的图案。相应地，第二对位标记也位于基板的周边，且第二对位标记与第一对位标记的中心位于一条直线上,并不存在交叠部分。需要说明的是，在此只是举例说明，本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板对位标记，其特征在于，其包括位于基板不同层结构上的第一对位标记图案和第二对位标记图案；其中，所述第一对位标记图案和第二对位标记图案的中心重合，且不存在交叠部分。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：田川，郝昭慧，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：