平面化用的抛光垫片制造技术

本发明专利技术涉及抛光垫片。尤其，本发明专利技术的抛光垫片包括下层，中间层，和用作抛光层的顶层。本发明专利技术的抛光垫片能够用于抛光制品和尤其用于微电子设备如半导体晶片的化学机械抛光或平面化。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及抛光垫片。尤其，本专利技术的抛光垫片包括下层，中间层，和用作抛光层的顶层。本专利技术的抛光垫片能够用于抛光制品和尤其用于微电子设备如半导体晶片的化学机械抛光或平面化。一般说来，微电子设备的非平面表面的抛光或平面化成基本上平面的表面的过程能够包括由抛光垫片的工作面使用受控的和重复运动来摩擦该非平面表面。抛光淤浆能够置于在需要抛光的制品的粗糙表面与抛光垫片的工作面之间。微电子设备如半导体晶片的制造一般包括多个集成电路在包括例如硅或砷化镓的晶片上的形成。该集成电路能够通过一系列工艺步骤来形成，其中材料如导电性材料，绝缘材料和半导电性材料的有图案的层在该基片上形成。为了最大程度提高每晶片的集成电路的密度，希望在整个半导体晶片生产过程的各个阶段具有基本上平面的抛光基片。因此，半导体晶片生产一般包括至少一个，和可能包括多个抛光步骤，它们能够使用一个或多个抛光垫片。在化学机械抛光(CMP)处理中，该微电子基片能够被放置与抛光垫片接触。该垫片能够旋转，同时力被施加于微电子设备的背面。含有磨料的化学反应活性溶液或淤浆能够在抛光过程中施加于垫片。CMP抛光淤浆能够含有磨料，如硅石，氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
抛光垫片，包括：ａ．下层；ｂ．中间层；和ｃ．顶层，其中该顶层至少部分地连接到该中间层和该中间层至少部分地连接到该下层，和其中该顶层吸收至少２ｗｔ％的抛光淤浆，以顶层的总重量为基础计。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：WC阿利森，R斯舍尔，AE王，
申请(专利权)人：PPG工业俄亥俄公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]