用于化学机械抛光的多层抛光垫材料制造技术

本发明专利技术针对一种用于化学机械抛光的多层抛光垫（１０），其包含一抛光层（１２）和一底层（１４），其中所述抛光层和底层未使用一粘合剂而结合在一起。本发明专利技术还针对一种包含一光学透射多层抛光垫材料的抛光垫，其中所述抛光垫材料的所述各层未使用一粘合剂而结合在一起。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于化学机械抛光的无粘合剂的多层抛光垫材料。
技术介绍
化学机械抛光(“CMP”)制程用于微电子装置的制造，以在半导体晶片、场发射显示器和许多其它微电子衬底上形成平坦表面。例如，半导体装置的制造通常涉及形成各种处理层、选择性去除或图案化部分所述层且在一半导体衬底的表面上沉积其它处理层以形成半导体晶片。例如，所述处理层可包括绝缘层、闸氧化层、导电层和金属或玻璃层等。在晶片制程的某些步骤中，通常希望处理层的最上表面为平面(即，平坦的)，以用于随后各层的沉积。CMP用于平面化处理层，其中抛光一沉积的材料(诸如，导电或绝缘材料)来平面化所述晶片，以用于随后的制程步骤。在一典型CMP制程中，将一晶片上面朝下安装到CMP工具中的载具上。一个力推动所述载具和所述晶片向下移向一抛光垫。所述载具和所述晶片均在CMP工具的抛光台上的旋转抛光垫上方旋转。在抛光制程期间，通常将抛光组合物(也称为抛光浆料)引入旋转晶片与旋转抛光垫之间。所述抛光组合物通常含有一化学物质(其与部分晶片最顶层相互作用或将其溶解)和一研磨剂材料(其以物理方式去除部分所述层)。根据所实施的特定抛光制程的需要，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于化学机械抛光的多层抛光垫，其包含一抛光层和一底层，其中所述底层与所述抛光层大体共延伸，且其中所述抛光层和所述底层未使用一粘合剂而结合在一起。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿班纳沙瓦普拉萨德，罗兰K塞维利亚，迈克尔S莱西，
申请(专利权)人：卡博特微电子公司，
类型：发明
国别省市：US[]