用于电化学机械抛光的抛光垫制造技术

本发明专利技术提供一种抛光垫，其包含一具有一顶部表面（１０）和一底部表面的主体，所述顶部表面（１０）包含一具有一第一深度和第一宽度的第一组凹槽（１２），所述底部表面包含一具有一第二深度和第二宽度的第二组凹槽（１６），其中所述第一组凹槽（１２）与第二组凹槽（１６）互连并以使其不对准的方式定向。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于电化学机械抛光的抛光垫。
技术介绍
将抛光加工用于微电子设备的制造中以在半导体晶圆、场发射显示器和许多其它微电子衬底上形成平坦平面。举例来说，半导体设备的制造通常涉及形成各种处理层、选择性移除或图案化那些层的几个部分和在一半导体衬底的表面上沉积额外处理层来形成一半导体晶圆。举例来说，所述处理层可包括绝缘层、闸极氧化层、导电层和金属或玻璃层等。在晶圆加工的某些步骤中，通常需要所述处理层的最上表面为平面(也就是平坦)以供后续层沉积。诸如化学机械抛光(“CMP”)的抛光加工用于使处理层平面化，其中抛光诸如导电材料或绝缘材料的沉积材料以使晶圆平面化以供后续加工步骤使用。由于铜的令人合意的电性质，其逐渐被用于制造微电子设备。在铜衬底特征的制造中，目前使用诸如镶嵌或双镶嵌加工的技术。在镶嵌加工中，一特征定义于一介电材料中，障壁层材料沉积于所述特征的表面上方，且铜沉积于所述障壁层和周围场上方。所述加工造成过多的铜沉积于衬底表面上，其必须在后续加工之前移除(例如，通过抛光)。过多铜的移除受到导电材料与障壁层之间的界面通常为非平面的事实的挑战。残留的铜可保留在非平面界面所形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抛光垫，其包含一主体，所述主体具有：（ａ）一顶部表面，其包含一具有一第一深度和第一宽度的第一组凹槽；和（ｂ）一底部表面；其包含一具有一第二深度和第二宽度的第二组凹槽，其中所述第一组凹槽和第二组凹槽互连并以使其不对准的方式定向。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗兰K塞维利亚，
申请(专利权)人：卡博特微电子公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]