光刻胶折射率的测定方法技术

本发明专利技术涉及一种光刻胶折射率的测定方法，包括以下步骤：使光刻胶液体在水面上凝固得到光刻胶薄膜；将光刻胶薄膜置于回形支架中并加热得到样品支架；使用太赫兹时域光谱系统仅测定太赫兹电磁波通过空白回形支架后脉冲电场的时间波形，傅立叶转换后得到参照相位；使用太赫兹时域光谱系统测定太赫兹电磁波通过样品支架后脉冲电场的时间波形，通过傅立叶转换后得到样品相位；根据参照相位和样品相位得到相位差；根据计算公式得到光刻胶在太赫兹频段内的折射率。因为光刻胶对太赫兹电磁波不敏感，所以不会发生光敏反应，可以实现准确测量曝光前后光刻胶在太赫兹频段内的折射率。本发明专利技术方便快捷，测试结果精确，拓展了光刻胶折射率的测量范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
光刻胶是一类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，由于具备比较小的表面张力的特性，使得光刻胶具有良好的流动性和均匀性。光刻胶又称光致抗蚀剂，是由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区域能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化，是转移紫外曝光或电子束曝光图案的媒介，因此在集成电路，封装，微机电系统，光电子器件光子器件，平板显示器，太阳能光伏等领域得到了广泛的应用。如何精确获得光刻胶的折射率，对于器件的设计，结构优化等有着十分重要的参考意义。最常见的测量光刻胶折射率的仪器是使用阿贝折射仪。但是阿贝折射仪的测量折射率的波段较短，例如DR-M2多波长阿贝折射仪，测量波段为450nm-1100nm。因为该阿贝折射仪的测量波段有限，所以不能测量太赫兹频段内光刻胶折射率的问题。另外，阿贝折射仪对太赫兹电磁波比较敏感，在测量过程中容易发生光敏反映而产生误差。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述问题而进行的，目的在于提供一种能够准确测量光刻胶在太赫兹频段内的折射率的。本专利技术为了实现 上述目的，采用了以下步骤:本专利技术提供一种，其特征在于，包括以下步骤:(I).将光刻胶液体滴在水面上，凝固后得到光刻胶薄膜，测量光刻胶薄膜的厚度；(2).将光刻胶薄膜置于回形支架的中空部并加热得到样品支架；(3).使用太赫兹时域光谱系统仅测定太赫兹电磁波通过空白的回形支架后的脉冲电场的时间波形，通过傅立叶转换后得到相位并作为参照相位；(4).使用太赫兹时域光谱系统测定太赫兹电磁波通过样品支架后的脉冲电场的时间波形，通过傅立叶转换后得到相位并作为样品相位；(5).根据参照相位和样品相位得到相位差；(6).根据预设计算公式得到光刻胶在太赫兹频段内的折射率；其中，计算公式为: CCri, = nr + ~；&φ = n,- + -—ΔΦ "ωα2nfa '在计算公式中，ns为光刻胶在太赫兹频段内的折射率，nr为空白的回形支架中参照物的折射率，参照物为空气，K的值设为l，c为太赫兹电磁波在真空中的传播速度，具体值为3X IO8 m/s。f为太赫兹电磁波的频率，具体值为0.1 10 THz, d为光刻胶薄膜的厚度，△ Φ为参照相位和样品相位在太赫兹频段内的相位差。另外，在本专利技术中，还可以有这样的特征:在步骤(I)中，水为去离子水，光刻胶薄膜的厚度为92 μ m和146 μ m，光刻胶的类型为AZ 1500，使用精度为0.001 mm的电子千分尺来测量光刻胶薄膜的厚度。另外，在本专利技术中，还可以有这样的特征:在步骤(2)中，回形支架为铝制品。另外，在本专利技术中，还可以有这样的特征:在步骤(3)和步骤(4)中，太赫兹时域光谱系统的飞秒脉冲的波长为800 nm，脉宽为100 fs，重复频率为80 MHz。进一步，在本专利技术中，还可以有这样的特征:在步骤(5)中，相位差为参照相位和样品相位的差的绝对值。进一步，在本专利技术中，还可以有这样的特征:在步骤(6)中，太赫兹电磁波的频率的具体值为0.2 2THz。专利技术的作用与效果根据本专利技术，本专利技术测定的是光刻胶在太赫兹电磁波的折射率，因为光刻胶对太赫兹电磁波不敏感，所以不会发生光敏反应，可以实现准确测量曝光前后光刻胶在太赫兹频段内的 折射率。本专利技术实施方便快捷，测试结果精确，拓展了光刻胶折射率的测量范围。附图说明图1为本专利技术实施例的光刻胶薄膜的制备示意图。图2为本专利技术实施例的样品支架的结构示意图。图3为本专利技术实施例的太赫兹时域光谱系统的结构示意图。图4为本专利技术实施例的光刻胶在0.2 2THz频率范围内的折射率图。具体实施例方式以下结合附图对本专利技术涉及的进行详细地说明。本实施例在以本专利技术技术方案为前提下进行实施，所给出的详细实施方式和过程，是对本专利技术的进一步说明，而不是限制本专利技术的范围。实施例一在实施例一中，本专利技术包括以下步骤:图1为本专利技术实施例一的光刻胶薄膜的制备示意图。(I).如图1所示，使用胶头滴管3将光刻胶液体滴在去离子水I的水面上，光刻胶液体会在水面上扩散呈膜状，凝固后得到光刻胶薄膜2，测量光刻胶薄膜的厚度d。图2为本专利技术实施例一的样品支架的结构示意图。(2).如图2所示，将光刻胶薄膜固定在回形支架4的中空部，于烤箱中烘烤加热，得到样品支架。(3).使用太赫兹时域光谱系统仅测定太赫兹电磁波通过空白的回形支架4后的脉冲电场的时间波形，通过傅立叶转换后得到相位并作为参照相位；图3为本专利技术实施例一的太赫兹时域光谱系统的结构示意图。(4).如图3所示，使用太赫兹时域光谱系统测定太赫兹电磁波通过样品支架5后的脉冲电场的时间波形，通过傅立叶转换后得到相位并作为样品相位；(5).根据参照相位和样品相位得到相位差；(6).根据计算公式得到光刻胶在太赫兹频段内的折射率；其中，计算公式为:权利要求1.一种，其特征在于，包括以下步骤: (1).将光刻胶液体滴在水面上，凝固后得到光刻胶薄膜，测量所述光刻胶薄膜的厚度； (2).将所述光刻胶薄膜置于回形支架的中空部并加热得到样品支架； (3).使用太赫兹时域光谱系统仅测定太赫兹电磁波通过空白的所述回形支架后的脉冲电场的时间波形，通过傅立叶转换后得到相位并作为参照相位； (4).使用太赫兹时域光谱系统测定所述太赫兹电磁波通过所述样品支架后的脉冲电场的时间波形，通过傅立叶转换后得到相位并作为样品相位； (5).根据所述参照相位和所述样品相位得到相位差； (6).根据预设计算公式得到所述光刻胶 在太赫兹频段内的折射率； 其中，所述计算公式为:2.根据权利要求1所述的，其特征在于:其中，所述步骤(I)中，所述水为去离子水。3.根据权利要求1所述的，其特征在于:其中，所述步骤(I)中，所述光刻胶薄膜的厚度为92 μ m和146 μ m。4.根据权利要求1所述的，其特征在于:其中，所述步骤(I)中，所述光刻胶的类型为AZ 1500。5.根据权利要求1所述的，其特征在于:其中，所述步骤(I)中，使用精度为0.001 mm的电子千分尺来测量所述光刻胶薄膜的厚度。6.根据权利要求1所述的，其特征在于:其中，所述步骤(2)中，所述回形支架为铝制品。7.根据权利要求1所述的，其特征在于:其中，所述步骤(3)和所述步骤(4)中，所述太赫兹时域光谱系统的飞秒脉冲的波长为800 nm，脉宽为100 fs，重复频率为80 MHz。8.根据权利要求1所述的，其特征在于:其中，所述步骤(5)中，所述相位差为所述参照相位和所述样品相位的差的绝对值。9.根据权利要求1所述的，其特征在于:其中，所述步骤(6)中，所述太赫兹电磁波的频率的具体值为0.2 2THz。全文摘要本专利技术涉及一种，包括以下步骤使光刻胶液体在水面上凝固得到光刻胶薄膜；将光刻胶薄膜置于回形支架中并加热得到样品支架；使用太赫兹时域光谱系统仅测定太赫兹电磁波通过空白回形支架后脉冲电场的时间波形，傅立叶转换后得到参照相位；使用太赫兹时域光谱系统测定太赫兹电磁波通过样品支架后脉冲电场的时间波形，通过傅立叶转换后得到样品相位；根据参照相位和样品相位得到相位差；根据计算公式得到光刻胶在太赫兹频段内的折射率本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻胶折射率的测定方法，其特征在于，包括以下步骤：?（1）.将光刻胶液体滴在水面上，凝固后得到光刻胶薄膜，测量所述光刻胶薄膜的厚度；（2）.将所述光刻胶薄膜置于回形支架的中空部并加热得到样品支架；?（3）.使用太赫兹时域光谱系统仅测定太赫兹电磁波通过空白的所述回形支架后的脉冲电场的时间波形，通过傅立叶转换后得到相位并作为参照相位；（4）.使用太赫兹时域光谱系统测定所述太赫兹电磁波通过所述样品支架后的脉冲电场的时间波形，通过傅立叶转换后得到相位并作为样品相位；（5）.根据所述参照相位和所述样品相位得到相位差；（6）.根据预设计算公式得到所述光刻胶在太赫兹频段内的折射率；其中，所述计算公式为：ns=nr+cωdΔφ=nr+c2πfdΔφ在所述计算公式中，ns为所述光刻胶在太赫兹频段内的折射率，nr?为空白的所述回形支架中参照物的折射率，所述参照物为空气，nr的值设为1，c?为太赫兹电磁波在真空中的传播速度，具体值为3×108?m/s，f?为太赫兹电磁波的频率，具体值为0.1～10?THz，d?为光刻胶 薄膜的厚度，Δφ为所述参照相位和所述样品相位在所述太赫兹频段内的所述相位差。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王银萍，张大伟，李媛，洪瑞金，盛斌，黄元申，倪争技，王琦，
申请(专利权)人：上海理工大学，
类型：发明
国别省市：