用于化学机械抛光的分层冷冻磨料抛光垫及其制备方法技术

本发明专利技术针对传统抛光垫在抛光加工过程中效率低、成本高、均匀性和可靠性差、工艺控制能力不强以及多次装夹工件致使工件的加工定位基准发生改变，从而影响最终的加工精度和效率等缺点，提出了一种用于化学机械抛光的分层冷冻磨料抛光垫及其制备方法，以适应目前抛光精加工的需求。本发明专利技术利用液体作为粘结剂，通过分层冷冻分别将去离子水、纳米磨料及微米磨料粘结形成抛光垫，可用于抛光加工各种薄形工件，尤其适于加工热敏性材料、软材料、晶体材料等。本发明专利技术具有制造简单、加工成本低、加工效率和加工精度高、工艺控制能力强、绿色环保等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于化学机械抛光的分层冷冻磨料抛光垫及其制备方 法，尤其是一种利用液体作为粘结剂，通过分层冷冻分别将去离子水、纳米 磨料及微米磨料粘结形成的抛光垫及其制备方法，具体地说是一种用于化学 机械抛光的分层冷冻磨料抛光垫及其制备方法。技术背景众所周知，传统的CMP (化学机械抛光法)系统是由一个旋转的工件夹 持装置、承载抛光垫的工作台和抛光液(浆料)供给系统三大部分组成。抛 光时，旋转的工件以一定的压力压在随工作台一起旋转的抛光垫上，而由亚 微米或纳米磨料和化学液组成的抛光液在工件与抛光垫之间流动，并在工件 表面产生化学反应，工件表面形成的化学反应物由磨粒的机械摩擦作用去除。 由于选用比工件软或者与工件硬度相当的游离磨料，在化学成膜和机械成膜 的交替过程中，通过化学和机械的共同作用从工件表面去除极薄的一层材料， 实现超精密表面加工。尽管这种传统的CMP技术在超精密表面加工中得到广 泛应用，但在实际应用中也显现出一定的缺点(1)传统的CMP是基于三体 (游离磨料、抛光垫和硅片)磨损机理，工艺参数多、加工过程不稳定，不 易实现自动控制，生产效率低。(2)由于抛光垫是具有一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于化学机械抛光的分层冷冻磨料抛光垫，其特征是自底层往上共有四层：第一层为去离子水层，第二层为纳米磨料层，第三层也为去离子水层，第四层为微米磨料层，其中微米磨料层占抛光垫总重量的３０％～４０％，纳米磨料层占总重量的２０％～３０％，余量为去离子水层，且第一层去离子水层占余量去离子水层总重量的２０～４０％。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：左敦稳，孙玉利，卢文壮，李军，朱永伟，
申请(专利权)人：南京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]