一种利用多晶硅副产物制备镁硅基粉体热电材料的方法技术

技术编号:8902281 阅读:460 留言:0更新日期:2013-07-10 22:48
一种利用多晶硅副产物制备镁硅基热电材料的方法,属于热电材料制备领域,具体而言是利用多晶硅副产物SiCl4制备Mg2Si新型热电材料的制备技术方案,特别是能够利用多晶硅有毒副产物制备出新型绿色能源热电转换材料。其特征在于利用多晶硅有毒副产物SiCl4先与溶解在有机溶剂四氢呋喃中的Mg2H反应生成SiH4气体,再将SiH4气体与Mg2H加热反应得到Mg2Si基热电材料。本方法的特点是原料来源丰富、工艺简单,制备出的Mg2Si热电材料具有较好的热电性能,不仅解决了多晶硅副产物SiCl4回收难的问题,而且降低了生产成本,减少了环境污染,提供了新能源材料的生产方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一种利用多晶硅副产物制备镁硅基热电材料的方法,属于热电材料制备领域,具体而言是利用多晶硅副产物SiCl4制备Mg2Si新型热电材料的制备技术方案,特别是能够利用多晶硅有毒副产物制备出新型绿色能源热电转换材料。
技术介绍
多晶硅的生产技术有:改良西门子法、硅烷法和流床法。正在研发的还有冶金法、气液沉积法、重掺硅废料法制造低成本多晶硅的新工艺,其中以西门子法生产多晶硅为最多。西门子法(三氯氢硅还原法)是以HCl (C12、H2)和冶金级工业为原料,将粗硅(工业硅)粉与HCl在高温下合成为SiHCl3,然后对SiHCl3进行化学提纯,接着对SiHCl3进行多级精馏,使纯度达到9个9以上。因此,在SiHCl3合成和还原制取多晶硅的过程中,都会产生大量的副产物Sici4,还原过程产出it多晶硅所产生的有毒副产物SiCiJi往超过iot,Sici4又难于回收和转换再利用。目前SiCl4通常作为:(1)制造气相法白炭黑的主要原料,目前国际市场已趋于饱和,而且高端规模技术化仍然有待于突破;(2)生产三氯氢硅,可以通过等离子体法还原四氯化硅、热氢化技术、氢氯法、冷氢法得到三氯氢硅,但是由于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用多晶硅副产物制备镁硅基热电材料的方法,其特征在于是利用多晶硅副产物SiCl4通过化学反应制备出Mg2Si热电材料的方法,该方法是先由按比例混合的颗粒度≤45μm,纯度≥99.5%的MgH2粉末原材料和纯度为99%的SiCl4在纯度为99.2%的有机溶剂C4H8O中反应生成SiH4气体,C4H8O不直接参与反应;然后SiH4气体再与颗粒度≤45μm,纯度≥99.5%的MgH2?原材料通过加热反应得到Mg2Si粉末,反应方程式为:?SiCl4+2MgH2=2MgCl2+SiH4??????????????????????????????????????(1)SiH4+2MgH2=Mg2Si...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈少平张霞李育德张机源樊文浩孟庆森易堂红
申请(专利权)人:太原理工大学
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1