【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种IGBT缓冲电路，包括两个RCD缓冲单元，其特征在于，还包括分压单元，第一RCD缓冲单元并联接入主IGBT的集电极和发射极之间，第二RCD缓冲单元的电容与辅助IGBT的集电极或MOS管的漏极连接，所述分压单元并联接入所述第一RCD缓冲单元和第二RCD缓冲单元之间，所述分压单元通过一个运算放大器与所述辅助IGBT的栅极或MOS管的栅极连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：帅智康，陈功，沈征，尹新，廖淋圆，唐开毅，孙冰冰，周猛，
申请(专利权)人：湖南大学，
类型：实用新型
国别省市：
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