【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种用于承载半导体原料晶片的扩散炉实验用石英舟。
技术介绍
硅晶片作为半导体加工原料常需在扩散炉中扩散，以使硅晶片表面(单面或双面)一定深度范围内的薄层中掺入某类型杂质形成掺杂区域。为使硅晶片表面掺杂区域的等浓度截面平行于晶片表面，晶片横向放置，使待扩散表面常朝向杂质源来向。这种硅晶片放置方式一方面可保证扩散过程中待扩散的晶片表面蒸汽压力恒定；另一方面，横向放置的晶片减缓了杂质源流动的速度，扩散充分，降低了晶片扩散的原料成本。为实现晶片的横向放置，在种扩散过程中，常使用石英舟作为硅晶片固定载体。常见石英舟包括石英舟主体，在石英舟主体上设有多个卡槽，使用时，将硅晶片插放在卡槽内，并将石英舟放入扩散炉中对硅晶片进行扩散。这种石英舟的缺点是:1、由于硅晶片的形状、厚度、大小不一致，因此不同尺寸硅晶片样品需采用不同的石英舟，成本很大。2、在硅晶片样品试验过程中，为获取最优扩散参数，通常硅晶片样品的尺寸多样，但每种尺寸的硅晶片数量少。为适应更多规格硅晶片的实验需求，现有石英舟因卡槽的宽度大，很难满足尺寸多样化的样品对试验固定载体的要求，硅晶片的方向不一致，导致试...
【技术保护点】
一种扩散炉实验用石英舟，包括多根立杆，其特征是：在立杆下部套装有圆形底盘，所述立杆的下端露出圆形底盘，在圆形底盘上表面设有多组框架，每组由两个前后平行布置的框架构成，在每组框架竖边框内侧上下对应位置设有多个斜卡槽，所述斜卡槽的底面由外向内倾斜且倾角为45°，同组框架内的前后对应的斜卡槽分别位于同一平面内，在每个立杆上位于框架上方位置设有多个上下对应的弧形卡槽，对应同一高度的弧形卡槽位于同一个圆弧面上，位于不同高度的斜卡槽及位于不同高度的弧形卡槽的宽度不相等。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陆晓东，伦淑娴，周涛，张明，王月，
申请(专利权)人：渤海大学，
类型：实用新型
国别省市：
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