辐射探测器及辐射探测装置制造方法及图纸

公开了一种辐射探测器及包括该辐射探测器的辐射探测装置。辐射探测器包括：用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；位于半导体晶体的顶部表面的第一阳极；位于半导体晶体的底部表面的第二阳极；以及位于半导体晶体的至少一个侧面的阴极。辐射探测装置包括该辐射探测器和信号处理电路。该辐射探测器利用结构简单的双阳极结构实现了单电荷灵敏特性，从而改善能量分辨率。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及辐射探测器及包括该辐射探测器的辐射探测装置，更具体地，涉及用于X射线或Y射线能谱测量或成像的CdZnTe (CZT)探测器及其探测装置。
技术介绍
辐射探测器可以测量例如X射线或Y射线的能谱，因而是进行核素识别的主要手段之一。辐射探测器已经广泛应用于核辐射防护、核安检、环境保护及国土安全等领域，用于检测放射性物质。目前，辐射探测器主要可分为两类:一类是以NaI (Tl)为代表的闪烁体探测器，另一类是以高纯锗(HPGe)为代表的半导体辐射探测器。闪烁体探测器具有价格便宜、制备简单等优点。然而，闪烁体探测器的能量分辨率较差，很难满足复杂能谱精细结构的测量要求。半导体辐射探测器具有很好的能量分辨率。然而，半导体辐射探测器大都要求在液氮(77K)下保存或使用。由于使用了低温容器和真空室，这将增加探测器的总体积。而且，需要频繁地添加液氮，无法满足野外恶劣条件下的使用要求，使用范围受到了限制。使用化合物半导体材料的半导体辐射探测器具有能量分辨率高、探测效率高、体积小、便于携带、并可在室温下工作等优点。目前，半导体辐射探测器已广泛应用于环境监测、核医学、工业无损检测、安全检查、核武器突本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种辐射探测器，其特征在于包括：用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；位于半导体晶体的顶部表面的第一阳极；位于半导体晶体的底部表面的第二阳极；以及位于半导体晶体的至少一个侧面的阴极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李玉兰，张岚，李元景，刘以农，牛莉博，傅楗强，江灏，张韡，刘延青，李军，
申请(专利权)人：同方威视技术股份有限公司，清华大学，
类型：实用新型
国别省市：